Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання

Abstract

Експериментально досліджена можливість твердофазного легування напівпровідників під дією потужного лазерного випромінювання з довжиною хвилі, для якої напівпровідник є прозорим. Досліджені основні електрофізичні параметри р-п-переходів і омічних контактів в Si, GaAs, GaP, ІпР, сформованих методом лазерної дифузії домішки з плівки лігатури. На основі аналізу параметрів напівпровідникових структур показано, що метод лазерного твердофазного легування напівпровідників є конкурентоспроможним порівняно з технікою іонної імплантації і традиційною дифузійною технологією. A p-n-junctions formed by means of laser stimulated diffusion of dopants into semiconductors (Si, GaAs, InP) were investigated. SIMS and AES spectroscopy methods were used to measure the depth profiles of the incorporated impurities: B into Si; Zn, into GaAs and InP. The comparative analysis of parameters of formed semiconductor structure shows that the procedure of laser solid-phase doping can stand the comparison with technology of implantation and conventional diffusion technology.