Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання

Simple item page
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету "Львівська політехніка"
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"uk_UA
dc.contributor.authorБончик, О. Ю.
dc.contributor.authorКияк, С. Г.
dc.contributor.authorМогиляк, І. А.
dc.contributor.authorПаливода, І. П.
dc.contributor.authorСавицькийГ.В., Г. В.
dc.contributor.authorТростинський, І. П.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-03-12T09:15:10Z
dc.date.available2018-03-12T09:15:10Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractЕкспериментально досліджена можливість твердофазного легування напівпровідників під дією потужного лазерного випромінювання з довжиною хвилі, для якої напівпровідник є прозорим. Досліджені основні електрофізичні параметри р-п-переходів і омічних контактів в Si, GaAs, GaP, ІпР, сформованих методом лазерної дифузії домішки з плівки лігатури. На основі аналізу параметрів напівпровідникових структур показано, що метод лазерного твердофазного легування напівпровідників є конкурентоспроможним порівняно з технікою іонної імплантації і традиційною дифузійною технологією. A p-n-junctions formed by means of laser stimulated diffusion of dopants into semiconductors (Si, GaAs, InP) were investigated. SIMS and AES spectroscopy methods were used to measure the depth profiles of the incorporated impurities: B into Si; Zn, into GaAs and InP. The comparative analysis of parameters of formed semiconductor structure shows that the procedure of laser solid-phase doping can stand the comparison with technology of implantation and conventional diffusion technology.uk_UA
dc.format.pages15-20
dc.identifier.citationФормування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання / О. Ю. Бончик, С. Г. Кияк, І. А. Могиляк, І. П. Паливода, Г. В. Савицький, І. П. Тростинський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 15–20. – Бібліографія: 4 назви.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39579
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Bonchik A., Kiyak S., Gotra Z., Proszak W. Laser technology fo r submicron-doped layers formation in semiconductors. Optics & laser technology. - 2001. - 33. - P. 589-591. 2. Bonchik A., Kiyak S., Mikhailova G., Pokhmurska A., Savitsky G. Formation o f p -n - junctions and ohmic contacts with GaAs by laser solid-phase diffusion. Quantum Electronics. - 1995. - 25. - P. 85-86. 3. Bonchik A., Kiyak S., Pokhmurska A., Savitsky G. Laser solid-phase modification o f semiconductors. Proceedings o f the First Polish-Ukrainian Symposium “New Materials fo r Solar C ells”, Cracow-Przegorzaly, 21-22 October 1996. - P. 259-263. 4. Wang K., Parker S., Cheng C., Long J. Diffusion in InP using evaporated Zn3P 2 film with transient annealing / / J. Appl. Phys. - 1988. - 63. - P. 2104-2109.uk_UA
dc.rights.holderБончик О. Ю., Кияк С. Г., Могиляк І. А., Паливода І. П., Савицький Г. В., Тростинський І. П.uk_UA
dc.subject.udc539.315uk_UA
dc.titleФормування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінюванняuk_UA
dc.title.alternativeUltra thin doped layers formation in semiconductors under the action of laser radiationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
4_15-20.pdf
Size:
170.71 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2002. – №455