Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання
| dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету "Львівська політехніка" | |
| dc.contributor.affiliation | Національний університет "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.contributor.author | Бончик, О. Ю. | |
| dc.contributor.author | Кияк, С. Г. | |
| dc.contributor.author | Могиляк, І. А. | |
| dc.contributor.author | Паливода, І. П. | |
| dc.contributor.author | СавицькийГ.В., Г. В. | |
| dc.contributor.author | Тростинський, І. П. | |
| dc.coverage.country | UA | uk_UA |
| dc.coverage.placename | Львів | uk_UA |
| dc.date.accessioned | 2018-03-12T09:15:10Z | |
| dc.date.available | 2018-03-12T09:15:10Z | |
| dc.date.issued | 2002 | |
| dc.description.abstract | Експериментально досліджена можливість твердофазного легування напівпровідників під дією потужного лазерного випромінювання з довжиною хвилі, для якої напівпровідник є прозорим. Досліджені основні електрофізичні параметри р-п-переходів і омічних контактів в Si, GaAs, GaP, ІпР, сформованих методом лазерної дифузії домішки з плівки лігатури. На основі аналізу параметрів напівпровідникових структур показано, що метод лазерного твердофазного легування напівпровідників є конкурентоспроможним порівняно з технікою іонної імплантації і традиційною дифузійною технологією. A p-n-junctions formed by means of laser stimulated diffusion of dopants into semiconductors (Si, GaAs, InP) were investigated. SIMS and AES spectroscopy methods were used to measure the depth profiles of the incorporated impurities: B into Si; Zn, into GaAs and InP. The comparative analysis of parameters of formed semiconductor structure shows that the procedure of laser solid-phase doping can stand the comparison with technology of implantation and conventional diffusion technology. | uk_UA |
| dc.format.pages | 15-20 | |
| dc.identifier.citation | Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання / О. Ю. Бончик, С. Г. Кияк, І. А. Могиляк, І. П. Паливода, Г. В. Савицький, І. П. Тростинський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 15–20. – Бібліографія: 4 назви. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39579 | |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.relation.references | 1. Bonchik A., Kiyak S., Gotra Z., Proszak W. Laser technology fo r submicron-doped layers formation in semiconductors. Optics & laser technology. - 2001. - 33. - P. 589-591. 2. Bonchik A., Kiyak S., Mikhailova G., Pokhmurska A., Savitsky G. Formation o f p -n - junctions and ohmic contacts with GaAs by laser solid-phase diffusion. Quantum Electronics. - 1995. - 25. - P. 85-86. 3. Bonchik A., Kiyak S., Pokhmurska A., Savitsky G. Laser solid-phase modification o f semiconductors. Proceedings o f the First Polish-Ukrainian Symposium “New Materials fo r Solar C ells”, Cracow-Przegorzaly, 21-22 October 1996. - P. 259-263. 4. Wang K., Parker S., Cheng C., Long J. Diffusion in InP using evaporated Zn3P 2 film with transient annealing / / J. Appl. Phys. - 1988. - 63. - P. 2104-2109. | uk_UA |
| dc.rights.holder | Бончик О. Ю., Кияк С. Г., Могиляк І. А., Паливода І. П., Савицький Г. В., Тростинський І. П. | uk_UA |
| dc.subject.udc | 539.315 | uk_UA |
| dc.title | Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання | uk_UA |
| dc.title.alternative | Ultra thin doped layers formation in semiconductors under the action of laser radiation | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1