Modelling of the SIC Schottky diodes

Simple item page
dc.contributor.authorZarеbski, Janusz
dc.date.accessioned2017-04-06T07:14:45Z
dc.date.available2017-04-06T07:14:45Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractIn this paper the detailed form of SPICE macromodel of Infineon Technologies SiC Schottky diode is presented. This macromodel has been verified experimentally. The results of measurements and calculations performed by SPICE of SDB10S30 and SDP06S60 diodes are compared, as well.uk_UA
dc.identifier.citationZarеbski J. Modelling of the SIC Schottky diodes / Janusz Zarеbski // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 487 : Електроенергетичні та електромеханічні системи. – С. 177–181. – Bibliography: 6 titles.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/37194
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету «Львівська політехніка»uk_UA
dc.titleModelling of the SIC Schottky diodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
32_177-181.pdf
Size:
182.42 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Електроенергетичні та електромеханічні системи. – 2003. – №487