Вплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si

Simple item page
dc.citation.epage152
dc.citation.issue532 : Електроніка
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage147
dc.contributor.affiliationМіжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка
dc.contributor.affiliationНауковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ
dc.contributor.affiliationКиївський національний університет імені Тараса Шевченка
dc.contributor.authorЦмоць, В. М.
dc.contributor.authorЛитовченко, П. Г.
dc.contributor.authorЛитовченко, О. П.
dc.contributor.authorНовиков, М. М.
dc.contributor.authorПавловський, Ю. В.
dc.contributor.authorСалань, В. П.
dc.contributor.authorПацай, Б. Д.
dc.contributor.authorTsmots, V. M.
dc.contributor.authorLitovchenko, P. G.
dc.contributor.authorLitovchenko, O. P.
dc.contributor.authorNovikov, N. N.
dc.contributor.authorPavlovskii, Yu. V.
dc.contributor.authorSalan, V. P.
dc.contributor.authorPatsai, B. D.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.coverage.placenameLviv
dc.date.accessioned2020-03-20T07:36:29Z
dc.date.available2020-03-20T07:36:29Z
dc.date.created2005-03-01
dc.date.issued2005-03-01
dc.description.abstractВивчено природу парамагнітних центрів, які утворюються в монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського, після їх високотемпературної обробки в інтервалі 650–1100 0С та повторної термообробки при 1150 0С. За даними, одержаними на основі вимірювання магнітної сприйнятливості (МС), встановлено температурні інтервали зростання та зменшення концентрації парамагнітних центрів. Методом трикристальної дифрактометрiї досліджено вміст домiшково-структурних комплексів у цих кристалах та визначено радіуси і концентрації кластерів та дислокаційних петель. Встановлено, що виявлені зміни магнітної сприйнятливості пов’язані з генерацією кисневмісних кластерів та дислокаційних петель.
dc.description.abstractThe nature of paramagnetic centers formed in Cz-Si mono-crystals after their hightemperature treatment in the range of 650–1100 0C and repeated temperature treatment at 1150 0C are studied. On the basis of magnetic susceptibility (MS) measurements, the regions of increasing and decreasing of paramagnetic center concentration are established. The amount of impurity-structural complexes in these crystals is investigated by the method of threecrystal diffractometry. The radii and concentration of clusters and dislocation loops are determined. It is found that obtained MS changes are connected with the generation of oxygen-related clusters and dislocation loops.
dc.format.extent147-152
dc.format.pages6
dc.identifier.citationВплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si / В. М. Цмоць, П. Г. Литовченко, О. П. Литовченко, М. М. Новиков, Ю. В. Павловський, В. П. Салань, Б. Д. Пацай // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 532 : Електроніка. — С. 147–152.
dc.identifier.citationenInfluence of thermoprocessing in 650–1100 0C range on magnetic susceptibility of Cz-N-Si / V. M. Tsmots, P. G. Litovchenko, O. P. Litovchenko, N. N. Novikov, Yu. V. Pavlovskii, V. P. Salan, B. D. Patsai // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 532 : Elektronika. — P. 147–152.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/47510
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 532 : Електроніка, 2005
dc.relation.references1. Бабич В. М., Блецкан Н. И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния // К., 1997.
dc.relation.references2. Bender H. Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques // Phys. Stat. Sol. (a). –1984. – Vol. 86, № 1. – P. 245–261.
dc.relation.references3. Цмоць В. М., Войтусик М. Ю., Мельник В. М., Штым В. С. Устройство для измерения магнитной восприимчивости слабомагнитных материалов // А/с. № 1383240. Бюллетень изобретений и открытий. – 1988, № 11. – С. 185.
dc.relation.references4. Suezawa M., Sumino K., Iwaizumi M. Electron Spin Resonance Study of Oxygen Donors in Silicon Cryctals // J. Appl. Phys. – 1983. – V. 54, №11. – P. 6594–6600.
dc.relation.references5. Baranskii P.I., Babich V.M., Baran N.P., Dotsenko Yu. P., Kovalchuk V.B., Sherschel V.A. Investigation of Formation Conditions of Thermal Donors-I and –II in oxygen-Containing n-Type Silicon within the Temperature Range 400 to 800 0C // Phys. Stat. Sol. (a). – 1983. – V. 78, №2. – P. 733–739.
dc.relation.references6. Новиков Н.Н., Пацай Б.Д. Рентгеновские исследования параметров примесноструктурных комплексов прошедших термообработки в кристаллах кремния // Металлофизика и новейшие технологии. – 2003. – Т.25, № 2.– С.257–268.
dc.relation.references7. Bourett A. Oxygen Aggregation in Silicon // In: Proceedings of 13-th International Conference on Defects in Semiconductors, edited by L. C. Kimerling and J. M. Parsey, Jr. (The Metallurgical Society of AIME, Warrendale, PA, 1985) – P.129–146.
dc.relation.references8. Babich V.M., Baran N.P., Bugai A. A., Konchits A.A., Kovalchuk V.B., Maksimenko V.M., Shanina B.D. Electrical and Paramagnetic Properties of Thermodonors-II in Silicon. Discussion of a Model // Phys. Stat. Sol. (a). –1988. – Vol. 109, № 2. – P. 537–547.
dc.relation.references9. Cazcarra V., Zunino P. Influense of Oxygen on Silicon Resistivity // J. Appl. Phys.–1980. – Vol.51, №8. – Р. 4206–4211.
dc.relation.references10.Ohsawa A., Honda К., Shibatomi S., Ohkawa S. Microdefects Distribution in Czochralski-Grown Silicon Crystals // Appl. Phys. Lett –1981. –Vol. 38, №10. – P. 787–788.
dc.relation.references11.Holzlein К., Pensl G., Schulz М. Trap Spectrum of the "New Oxygen Donor" Silicon // Appl. Phys. A. – 1984. – Vol. 34, № 3. – Р. 155–161.
dc.relation.references12.Henry A., Pautrat J.L., Saminadayar K. The New Donors in Silicon: The Effect of the inversion Layers Surrounding Precipitates // In: Proceedings of 14-th international Conference on Defects in Semiconductors, edited by Н.J. von Bardeleben (Trans Tech, Aedermannsdorf, Switzerland, 1986). – P.–985–989.
dc.relation.references13.Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках: Пер. с англ. – М., 1974.
dc.relation.references14.Bergholz W., Schroter W. Oxygen Related Defects, Especially Thermal Donors in Silicon // In: Proceedings of 7-th international School "Defects in Crystals”, edited by E. Mizera (World Scientific, Szczyrk, Poland, 1985). – P. 196–207.
dc.relation.references15.Igras E. Generacja termoakceptorow w krzemie i wplyw naprezen mechanicznych na szybkosc tey generacji // Biuletyn WAT im. J. Dabrowskieco. – 1985. – Vol. 34, № 3. – P. 51–62.
dc.relation.references16.Schmalz К., Gaworzewski P., Kirscht F.-G. Deep Levels in Czochralski Si due to Heat Treatment at 600 to 900°C // Phys. Stat. Sol. (a). –1984. – Vol. 81, № 2. – P. K165-K169.
dc.relation.references17.Borghesi A., Pivac B., Sassella A. and Stella A. Oxygen precipitation in Silicon Applied Physics Reviews, 77 (9), 1995. – Р. 4169–4244.
dc.relation.referencesen1. Babich V. M., Bletskan N. I., Venher E. F. Kislorod v monokristallakh kremniia, K., 1997.
dc.relation.referencesen2. Bender H. Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques, Phys. Stat. Sol. (a). –1984, Vol. 86, No 1, P. 245–261.
dc.relation.referencesen3. Tsmots V. M., Voitusik M. Iu., Melnik V. M., Shtym V. S. Ustroistvo dlia izmereniia mahnitnoi vospriimchivosti slabomahnitnykh materialov, A/s. No 1383240. Biulleten izobretenii i otkrytii, 1988, No 11, P. 185.
dc.relation.referencesen4. Suezawa M., Sumino K., Iwaizumi M. Electron Spin Resonance Study of Oxygen Donors in Silicon Cryctals, J. Appl. Phys, 1983, V. 54, No 11, P. 6594–6600.
dc.relation.referencesen5. Baranskii P.I., Babich V.M., Baran N.P., Dotsenko Yu. P., Kovalchuk V.B., Sherschel V.A. Investigation of Formation Conditions of Thermal Donors-I and –II in oxygen-Containing n-Type Silicon within the Temperature Range 400 to 800 0C, Phys. Stat. Sol. (a), 1983, V. 78, No 2, P. 733–739.
dc.relation.referencesen6. Novikov N.N., Patsai B.D. Renthenovskie issledovaniia parametrov primesnostrukturnykh kompleksov proshedshikh termoobrabotki v kristallakh kremniia, Metallofizika i noveishie tekhnolohii, 2003, V.25, No 2, P.257–268.
dc.relation.referencesen7. Bourett A. Oxygen Aggregation in Silicon, In: Proceedings of 13-th International Conference on Defects in Semiconductors, edited by L. C. Kimerling and J. M. Parsey, Jr. (The Metallurgical Society of AIME, Warrendale, PA, 1985) – P.129–146.
dc.relation.referencesen8. Babich V.M., Baran N.P., Bugai A. A., Konchits A.A., Kovalchuk V.B., Maksimenko V.M., Shanina B.D. Electrical and Paramagnetic Properties of Thermodonors-II in Silicon. Discussion of a Model, Phys. Stat. Sol. (a). –1988, Vol. 109, No 2, P. 537–547.
dc.relation.referencesen9. Cazcarra V., Zunino P. Influense of Oxygen on Silicon Resistivity, J. Appl. Phys.–1980, Vol.51, No 8, R. 4206–4211.
dc.relation.referencesen10.Ohsawa A., Honda K., Shibatomi S., Ohkawa S. Microdefects Distribution in Czochralski-Grown Silicon Crystals, Appl. Phys. Lett –1981. –Vol. 38, No 10, P. 787–788.
dc.relation.referencesen11.Holzlein K., Pensl G., Schulz M. Trap Spectrum of the "New Oxygen Donor" Silicon, Appl. Phys. A, 1984, Vol. 34, No 3, R. 155–161.
dc.relation.referencesen12.Henry A., Pautrat J.L., Saminadayar K. The New Donors in Silicon: The Effect of the inversion Layers Surrounding Precipitates, In: Proceedings of 14-th international Conference on Defects in Semiconductors, edited by N.J. von Bardeleben (Trans Tech, Aedermannsdorf, Switzerland, 1986), P.–985–989.
dc.relation.referencesen13.Matare H. Elektronika defektov v poluprovodnikakh: transl. from English – M., 1974.
dc.relation.referencesen14.Bergholz W., Schroter W. Oxygen Related Defects, Especially Thermal Donors in Silicon, In: Proceedings of 7-th international School "Defects in Crystals", edited by E. Mizera (World Scientific, Szczyrk, Poland, 1985), P. 196–207.
dc.relation.referencesen15.Igras E. Generacja termoakceptorow w krzemie i wplyw naprezen mechanicznych na szybkosc tey generacji, Biuletyn WAT im. J. Dabrowskieco, 1985, Vol. 34, No 3, P. 51–62.
dc.relation.referencesen16.Schmalz K., Gaworzewski P., Kirscht F.-G. Deep Levels in Czochralski Si due to Heat Treatment at 600 to 900°C, Phys. Stat. Sol. (a). –1984, Vol. 81, No 2, P. K165-K169.
dc.relation.referencesen17.Borghesi A., Pivac B., Sassella A. and Stella A. Oxygen precipitation in Silicon Applied Physics Reviews, 77 (9), 1995, R. 4169–4244.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2005
dc.rights.holder© Цмоць В. М., Литовченко П. Г., Литовченко О. П., Новиков М. М., Ю. В. Павловський, Салань В. П., Пацай Б. Д., 2005
dc.subject.udc535.37
dc.subject.udc537.311.33
dc.titleВплив термообробки в інтервалі 650–1100 0С на магнітну сприйнятливість Cz-N-Si
dc.title.alternativeInfluence of thermoprocessing in 650–1100 0C range on magnetic susceptibility of Cz-N-Si
dc.typeArticle

Files

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.21 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2005. – №532