Нестійкості плоского фронту кристалізації при лазерній епітаксії і легуванні напівпровідників

dc.contributor.authorБончик, О. Ю.
dc.contributor.authorЗагіней, А. О.
dc.contributor.authorКияк, С. Г.
dc.contributor.authorПаливода, І. П.
dc.contributor.authorПохмурська, Г. В.
dc.date.accessioned2011-05-30T07:59:17Z
dc.date.available2011-05-30T07:59:17Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractОписано механізми формування нестійкостей плоского фронту кристалізації, які виникають при лазерній епітаксійній кристалізації напівпровідникових шарів. Запропоновано чотири основні механізми, що зумовлюють виникнення таких нестійкостей, які, в свою чергу, призводять до формування на поверхні напівпровідників комірчастої структури різної природи. Mechanisms of a planar interface instability initiation during laser epitaxy solidification of semiconductor layers are described in present paper. The main four mechanisms that determine such interface instability initiation have been proposed. These mechanisms set conditions for cellular structure of different nature formation on the semiconductor surface.uk_UA
dc.identifier.citationНестійкості плоского фронту кристалізації при лазерній епітаксії і легуванні напівпровідників / О. Ю. Бончик, А. О. Загіней, С. Г. Кияк, І. П. Паливода, Г. В. Похмурська // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 28–33. – Бібліографія: 5 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/9372
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Державного університету “Львівська політехніка”uk_UA
dc.titleНестійкості плоского фронту кристалізації при лазерній епітаксії і легуванні напівпровідниківuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
06.pdf
Size:
1.78 MB
Format:
Adobe Portable Document Format