Elements of the silicon TCD design and technology

dc.citation.journalTitleЕлементи теорії та прилади твердотілої електроніки
dc.contributor.affiliationInstitute of Electron Technology, Polanduk_UA
dc.contributor.authorŁysko, Jan M.
dc.contributor.authorNikodem, Marek
dc.contributor.authorLatecki, Bogdan
dc.contributor.authorGórska, Marianna
dc.contributor.authorStudzińska, Krystyna
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-08-28T13:57:13Z
dc.date.available2018-08-28T13:57:13Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractSilicon TCD (Thermal Conductivity Detector, katarometer) chip analytical model, elements of the design and technology are presented. Detector was designed for the pTAS (Micro Total Analysis System) application to recognize the composition of the different gas mixtures. TCD consists of the two pieces : glass plate and silicon chip. Two parallel flow channels 15 000 pm long, 400 pm wide and 50 pm deep were etched in the silicon chip and milled in the glass plate. Some of resistors were designed to act as a heaters and the other ones as a thermo resistors. Composition changes of the mixture flowing throughout the channel cause the temperature distribution changes and thermo resistors electrical response. Distance between the heaters and thermo resistors is of the great importance to the TCD sensitivity. VLSI silicon technology was applied to reduce geometrical dimensions and micromechanical technology to over-hange resistors across the flow channels to reduce thermal capacity and heat loses to the bulk and environment.uk_UA
dc.format.pages61–66
dc.identifier.citationElements of the silicon TCD design and technology / J. M. Łysko, M. Nikodem, B. Latecki, M. Górska, K. Studzińska // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 458 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 61–66. – Bibliography: 8 titles.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42519
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references[1] T.SJ.Lammerink, N.RTas, M.Elwenspoek, J.H.J.Fluitman, „Micro-liquid flow sensor, Sensors & Actuators, vol. A37-38, pp.45. [2] B.Latecki, J.Lozinko, J.M.Lysko, „Krzemowy katarometr — model analityczny’, Elektronizaqa 12/2001, s.23-25 (in Polish). [3] J.M.Lysko, J.Koszur, B.Latecki, “Analityczny model krzemowego detektora cieplno- przewodnosciowego”, Materiafy konferencyjne IKraijowej Konferencji Elektroniki KKE2002, Kolobrzeg-Dzwirzyno (2002) T.2, pp.815-819 (in Polish). [4] ZBiernadki, Sensory i systemy termoanemometryczne, WNT Warszawa 1999 (in Polish). [5@ Lysko J.M., Lozinko J., Jazwinski J., Latecki B., Panas A., Gorska M., “Krzemowy katarometr z kontaktami typu BSC”, Materiafy konferencyjne VII Konferencji NaUkowej COE’2002, Rzeszow (2002) T.1 123-126 (in Polish). [6] Lysko J.M., Gorska M., Wrzesinska H., Hejduk K., Latecki B., Lozinko J., “Technologia platynowych rezystorow krzemowego katarometru”, Materiafy konferencyjne VII Konferencji Naukowej C0E2002, Rzeszow (2002) T.2 133-136 (in Polish). [7] Lysko J.M., Budzynski T., Gorska M., Jazwinski J., Latecki B., Panas A, “Konstrukcja i elementy technologii polikrzemowych rezystorow TCD”, Materiafy kovfecencyjne I Krajowqj Konferencji Elektroniki KKE’2002, Kolobrzeg-Dzwirzyno (2002) T.2 811-814 (in Polish). [8] Polish patent pending P-353250 (08.04.2002).uk_UA
dc.rights.holder© Jan M. Łysko, Marek Nikodem, Bogdan Latecki, Marianna Górska, Krystyna Studzińska, 2002uk_UA
dc.subjectmodeluk_UA
dc.subjectdesignuk_UA
dc.subjecttechnologyuk_UA
dc.subjectsiliconuk_UA
dc.subjectdetectoruk_UA
dc.titleElements of the silicon TCD design and technologyuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
12_61-66.pdf
Size:
272.52 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description: