Кінетичні та фотоелектричні властивості шаруватих напівпровідників, лазерно інтеркальованих нікелем
No Thumbnail Available
Date
2005-03-01
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Вивчено механізми виникнення фотоелектретного ефекту в інтеркальованим нікелем GaSe. Визначено, що для цього об’єкта дослідження наявність фотоелектретного ефекту можна пояснити, припускаючи, що інтеркальованим нікелем GaSe збудженні світлом нерівноважні електрони і дірки знаходитимуться в асиметричній потенціальній ямі.
The mechanism of photoelectretic effect appearance on Ni intercalation GaSe were studied. For such object of investigation of the photoelectretic effect presents can be explained by the estimation that on Ni intercalated GaSe the exited nonequilibrium electrons and holes occurred on asymmetric potential well.
The mechanism of photoelectretic effect appearance on Ni intercalation GaSe were studied. For such object of investigation of the photoelectretic effect presents can be explained by the estimation that on Ni intercalated GaSe the exited nonequilibrium electrons and holes occurred on asymmetric potential well.
Description
Keywords
Citation
Стахіра П. Й. Кінетичні та фотоелектричні властивості шаруватих напівпровідників, лазерно інтеркальованих нікелем / П. Й. Стахіра, В. В. Черпак, В. Л. Фоменко // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 542 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 8–13.