Моделювання сенсора тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС

No Thumbnail Available

Date

2001

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”

Abstract

Наведено комп’ютерну модель процесів, які відбуваються у сенсорі гідростатичного тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС у мікрокристалах кремнію р-типу провідності при нестаціонарних температурах та тисках. Результати можна використати для проектування напівпровідникових сенсорів механічних величин з оптиміальними параметрами при роботі в нестаціонарних режимах. The computer model of processes which occur in hydrostatic pressure sensor on the base intermittent of the piezo-seebeck effect in p-type silicon whiskers is presented. The results may be used for designing the semiconductor sensors of mechanical values with optimum parameters under nonsteady-state conditions.

Description

Keywords

Citation

Дружинін А. О. Моделювання сенсора тиску на основі ефекту п’єзо-термо-ЕРС / А. О. Дружинін, Ю. М. Панков, С. М. Матвієнко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 25–30. – Бібліографія: 4 назви.