Особливості вирощування епітаксійних плівок ферит-гранатів з субмікронними ЦМД

Abstract

Для зменшення швидкості росту МПФГ з ЦМД, покращання технологічності та відтворюваності їх магнітних параметрів при багатопозиційному методі отримання запропоновано ферит-гранатову систему 3 5 12 (Y,Sm,Ca,Bi) (Fe,Ge,Si) O та розчинник 2 3 3 PbO − Bi O −MoO і встановлені молярні співвідношення між оксидами у вихідній шихті. Використання розчинника 2 3 3 PbO − Bi O −MoO дало змогу понизити температуру наси- чення розплавів до 1151...1189 К, температуру росту МПФГ до 1048...1103 К та швидкість росту плівок до 0,10...0,60 мкм/ хв . За допомогою введення до складу шихти оксиду вісмуту 2 3 Bi O отримано задовільні вищі значення полів одновісної магнітної анізотропії H E K = 1800...3150, температури Кюрі T K K = 483...513 з одночасним покращанням контрастності доменів за рахунок збільшення вмісту в МПФГ іонів Bi3+ . Наявність в шихті оксиду кремнію 2 SiO зменшує неузгодження параметрів решіток плівок та підкладок до значень Δa = −5 ⋅10−3... + 9 ⋅10−3 Å. Встановлені інтервали вмісту оксидів в шихті відповідають оптимальним магнітним параметрам та їх відтворюваності у вирощених МПФГ. For decreasing of speed growing of MFGF with BCD, the improvement of technologicalness and reproduction of their magnetic parameters at the multiposition method of reception the ferro-garnet system 3 5 12 (Y,Sm,Ca,Bi) (Fe,Ge,Si) O and solvent 2 3 3 PbO − Bi O − MoO are offered and molar correlations between oxides in an initial charge are set. The usage of 2 3 3 PbO − Bi O − MoO solvent allowed to reduce the temperature of liquid phase saturation to 1151...1189 K, the temperature growth of MFGF to 1048...1103 K and the films speed growing to 0,10...0,60 μm/min. The intercalation in to the composition of charge of bismuth oxide 2 3 Bi O allowed to get the satisfactory higher values of uniaxial magnetic anisotropy fields H Oe K = 1800...3150 , Curie temperature T K K = 483...513 with the simultaneous improvement of domain contrasting at the expense of increase of Bi 3+ ions contents in MFGF. A presence in the charge of silicon oxide 2 SiO decreases the mismatch of films and substrates grates parameters to the values of Δa = −5 ⋅10−3... + 9 ⋅10−3 Å. The determined intervals of oxides contents in the charge correspond to optimum magnetic parameters and their reproduction in growing of MFGF.