Browsing by Author "Єрохов, В. Ю."

Now showing 1 - 11 of 11

Використання кремнієвих нанодротів в сучасних фотоелектричних перетворювачах
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Нічкало, С. І.; Єрохов, В. Ю.; Островський, І. П.
Використання нанопоруватого кремнію в структурах фотоелектричних перетворювачів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Пригара, К. М.; Пащенко, С.; Єрохов, В. Ю.
Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Єрохов, В. Ю.; Мельник, І. І.; Національний університет "Львівська політехніка"
Метою даної роботи була розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS), яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. Завдяки оптимізації умов анодного процесу інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7,59 % для пористих шарів, вирощених на полірованій поверхні, та до 1,72 % для шарів, що вирощені на текстурованій поверхні. Мінімізація оптичних втрат дозволила підвищити на більше ніж 50 % струм короткого замикання для моно- та мультікристалічних СЕ, на фронтальній поверхні яких було сформовано ARC на основі PS. При цьому приріст ККД по відношенню до СЕ без ARC склав 31 та 22 %, відповідно. The purpose of present paper was development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence. Owing to optimization of anodization process conditions the average reflection coefficient of PS in range of 400-1000 nm was decreased to 7,59 % for porous layers, grown on polished surface, and to 1,72 % for layers that were grown on textured surface. Minimization of optical losses allowed to improve short circuit current by over than 50 % for mono- and multicrystalline SC that had PS based ARC formed on frontal surface. Under this, the increment of efficiency of these SCs (in comparison to SC without ARC) was 31 and 22 %, correspondingly.
Макропористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Єрохов, В. Ю.; Yerokhov, V. Yu.; Національний університет “Львівська політехніка”
Показана перспективність кремнію як матеріалу фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуті моделі текстур як найважливіших структурних елементів ФЕП. Охарактеризовані сучасні напрями збільшення ефективності перетворення та зменшення вартості сонячних батарей з використанням макропористих кремнієвих текстур. Застосування текстури як ефективного та рентабельного покриття на основі макропористого кремнію, з використанням хімічної технології, повинно бути максимально адаптоване до створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). При використанні макропористого кремнію, вирощеного хімічними методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП в діапазоні 400–1000 нм зменшується до 17 %
Мультиструктура для фронтальної поверхні сонячних елементів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Єрохов, В. Ю.
Для фотоелектричного перетворювача (ФЕП) сонячної енергії розроблено оптичну систему відбивання фронтальної поверхні у вигляді багатофункціональної мультитекстури на основі поруватого кремнію (ПК). Мультитекстуру з низьким інтегральним коефіцієнтом відбивання було створено шляхом переформатування технологічного процесу, об’єднуючи електрохімічні і хімічні методи формування ПК. ФЕП, виготовлені з використанням мультитекстур ПК, показали збільшення ефективності перетворення порівняно із стандартними сонячними елементами. For the sun energy photoelectric converter (PEC) the reflection optical system of frontal side is developed in the type of multifunction multitexture on the basis of porous silicon (PS). Multitexture with the low integral coefficient of reflection it was created by re-formatting of technological process, uniting the electrochemical and chemical methods of PS. PEC, made with the use of the PS multitexture, showed an increase efficiency of converter comparatively with standard solar cells.
Поверхнева мультитекстура для фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Єрохов, В. Ю.
Пористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Єрохов, В. Ю.; Національний університет “Львівська політехніка”
Проаналізовані еволюція і сучасний стан фотоперетворювачів сонячної енергії на основі кремнію. Показані сучасні напрями збільшення ефективності перетворення та зменшення вартості сонячних батарей та панелей сонячної енергії при використанні пористих структур деяких напівпровідникових матеріалів, таких як Si. Показані розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS) та розробка макропористого кремнію (MPS) на поверхні кремнієвої підкладки, з використанням хімічної та електрохімічної технології, яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. При використанні макропористого кремнію інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7 %. The evolution and modern condition of solar energy converter on the basis of silicon was the purpose of present paper. Also the prospects of their further application in terrestrial power and Probabilities of use of porous structures in structures of solar cells also are considered. The development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence is analysed. With macroporous silicon (MPS) the average reflection coefficient of MPS in range of 4001000 nm was decreased to 7 %.
Поруваті структури для мультитекстур фотоелектричних перетворювачів
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Єрохов, В. Ю.
Показана можливість створення мультитекстури фотоелектричного перетворювача на основі мультипоруватого кремнію. Розглянуті структурні моделі мультипоруватих текстур і технологічні процеси утворення двошарового поруватого кремнію на підложці p-Si. Спектри відбивання в діапазоні 0,4–1,1 мкм поверхні з мультипоруватою дзвіноподібною структурою показали понижений інтегральний коефіцієнт відбивання порівняно з класичними текстурними поверхнями. Possibility of creation of multitexture of porous silicon is shown, as material of structure for frontal texture of photoelectric converter. The morphological elements model of porous silicon surface are considered relative different pore parameters are shown. The deriving the two-layer porous silicon is considered. The given technology was used for deriving on a surface of a silicon substrate of texture with bell-shaped pore of porous silicon which has been grown by chemical and electrochemical methods.
Поруваті шари кремнієвих підкладок для фотоелектричних перетворювачів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Єрохов, В. Ю.; Кухта, О. В.
Показано перспективність кремнію як матеріалу фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуті морфологічні елементи пористого кремнію (ПК) щодо чотирьох різних параметрів: орієнтації пори, заповнення макропори, розгалуження і мульти-пористості ПК, як найважливіших структурних елементів текстури ФЕП. Показано, що використання текстури ПК, як ефективного та рентабельного покриття, з вико- ристанням хімічної технології повинно бути максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Доведено, що під час використання колоноподібної текстури на основі ПК, вирощеної хімічними та електрохімічними методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП зменшується до 8 %. The perspectivity of silicon as material for the solar energy convertor (SEC) was shown. The diverse morphological features of porous silicon (PS) can be schematically summarized with respect to four different aspects: pore orientation, fill of macropores, branching, and depth variation of PS. Utilization of textures as effective and profitable PS -based coatings with using of chemical and electrochemical technology must to be maximal adapted to process of decision of silicon based solar elements. The integral coefficient of frontal surface reflection of SEC under using of PS is decreased to 8 %.
Розробка рентабельних процесів формування фронтальної поверхні кремнієвих сонячних елементів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Єрохов, В. Ю.; Милянич, А. О.; Богдановський, Ю. М.; Національний університет “Львівська політехніка”
Наведені результати досліджень з вивчення рентабельних процесів створення структур кремнієвих сонячних елементів, хімічного росту макропористого крем¬нію для фронтальної антивідбиваючої поверхні фотоперетворювача. З’ясовується значення різних домішок у хімічних розчинах для росту поверхневої текстури. The paper presents the investigation results on profitable process of silicon solar cells formation, macro porous silicon chemical growing for frontal antireflective surface of photoconverter. The role of different additions in chemical solutions for surface texture growing was investigated.
Хімічні технології отримання пористого кремнію для сонячних елементів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Єрохов, В. Ю.
Показана перспективність хімічних технологій отримання пористого кремнію (por-Si) для створення фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Використання текстури як ефективного та рентабельного покриття на основі макропористого кремнію, із застосуванням використанням хімічної технології, повинно бути максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Хімічне (фарбувальне) травлення є потенційно перспективним технологічним напрямом створення пористих структур і може замінити електрохімічне травлення на певних етапах технології виготовлення електронних пристроїв та приладів для оптоелектронного використання з por-Si. Показані принципи створення базових розчинів, особливості ініціалізації процесу травлення кремнієвих підкладок різної провідності для СЕ. The perspectivity of silicon as material for the solar energy convertors (SEC) was shown. Textures utilization as effective and profitable macro porous silicon (MPS) -based coatings with using of acid technology’s must to be maximal adapted to process of decision of silicon based solar elements. Acid etching is potentially perspective technological route for design of porous structure. It may be replace by electrochemical etching at the some stage of production technology of electron devices for photovoltaic and optical electron application with por-Si. The principles of design of base solutions and features of initialization of etching process of silicon substrates of different conductivity for CE are shown.