Browsing by Author "Лопатинський, І. Є."
Now showing 1 - 20 of 29
- Results Per Page
- Sort Options
Item CdTe як пасивувальний шар в гетероструктурі CdTe/HgCdTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Вірт, І. С.; Сизов, Ф. Ф.; Михайлов, Н. Н.Під час виготовлення фотодетекторів на основі Hg1-хCdхTe використовують і гетероструктури цих матеріалів у вигляді тонких шарів, наприклад CdTe/Hg1-хCdхTe. У цій роботі досліджували гетероструктури – пасивувальний шар CdTe (з полікристальною і монокристальною структурами) та активну монокристалічну плівку Hg1-хCdхTe, отримані методом молекулярно-променевої епітаксії. Cтруктуру пасивувальних шарів досліджували методом дифракції електронів високих енергій на відбиття. Для вивчення впливу структури пасивувального покриття на властивості активного шару застосовували метод X-променевої дифрактометрії. Виміряно сталу кристалічної решітки активного шару плівки. Механічні властивості гетероструктур досліджували методом мікротвердості. Подано електрофізичні та фотоелектричні параметри епітаксійних плівок Hg1 хCdхTe. There is an increasing interest in the use of CdTe and Hg1-xCdxTe compounds as a base for infrared detectors. Thin films heterostructures CdTe/ Hg1-xCdxTe are very often used in the photodetectors fabrication process. In present work we investigated he-terostructures consisting of molecular beam epitaxy grown monocrystalline Hg1-xCdxTe active film with either monocrystalline or polycrystalline passivation CdTe layer. The structural properties and surface morphology of passivating layers were studied by reflection high-energy electron diffraction method. The influence of passivation layer structure on the properties of active film was also studied by means of XRD technique and the lattice parameter of active layer was determined. The mechanical properties of heterostuctures were investigated by microhardness method. Electrophysical and photoelectric parameters of epitaxial Hg1-xCdxTe films were measured.Item Алгоритм функціонування та структура програмованого коректора характеристик однокристальних сенсорних пристроів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Лопатинський, І. Є.; Потенцкі, Є.Подано результати розробки програмованого коректора характеристик для однокристальних сенсорних пристроїв. Розроблено новий алгоритм функціонування коректора, що базується на синтезі коректуючих струмів програмованою матрицею джерел струму. Принциповими рішеннями розробленої матриці є двійково-зважене масштабування струмів на латеральних p-n-p транзисторах та спеціальний алгоритм декодування комірок матриці. The results of elaboration of programmable characteristics corrector for on-chip sensor devices are presented in this paper. New algorithm of corrector functioning is elaborated. This algorithm is based on synthesis of correcting current by programmable array of current sources. The principal solutions of elaborated array are bit-power scaling of current on lateral p-n-p transistors and special algorithm for array cells decoding.Item Аналіз кристалічної структури плівок власних оксидів hgcdte ta pbsnte(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Берченко, І. О.; Вірт, І. С.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Робота присвячена вивченню структури оксидів HgCdTe та PbSnTe, вирощених різними методами. Як вихідні матеріали використовували епітаксійні шари HgCdTe та PbSnTe. Анодні оксиди вирощували за допомогою стандартної методики, а хемічні оксиди – з розчину H2O2–KOH. Їхню структуру досліджували за допомогою методу дифракції електронів високих енергій на відбиття (ДЕВЕВ). Установлено, що тільки оксиди, отримані природним оксидуванням в повітрі за кімнатної температури можна вважати повністю аморфними. Усі інші були полікристалічними. Середній розмір зерен визначено за формулою Шеррера. Методами ДЕВЕВ, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії та Оже-спектроскопії встановлено, що основними компонентами анодних оксидів HgCdTe та PbSnTe є CdTeO3 та PbTeO4, що добре узгоджується з літературними даними щодо теоретичних розрахунків фазових рівноваг у системах Hg(Pb)–Cd(Sn)–Te–O. Мікроіндентуванням установлено, що анодний оксид HgCdTe підвищує мікротвердість, тоді як для PbTe анодний та хемічні оксиди знижують значення мікротвердості. The aim of this work is to determine the structure of native oxides of HgCdTe and PbSnTe grown by different methods. The starting materials were epitaxial layers HgCdTe and PbSnTe. Anodic oxides were fabricated under standard conditions, and chemical oxides were grown in H2O2–KOH solution. The oxide films have been studied by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Only oxides obtained through natural oxidation in ambient air at room temperature were found to be completely amorphous. All other oxides must be rated as polycrystalline, and the average size of crystallites was determined for them using Scherrer’s formula. CdTeO3 and PbTeO3 may be considered such components in HgCdTe and PbTe anodic oxides correspondingly that is well agreed with predictions based on the phase equilibria in Hg(Pb)–Cd(Sn)–Te–O systems as well as XPS and AES results previously obtained. By using the microindentation technique the microhardness in the semiconductor layer underlying oxides was investigated. It was determined that for HgCdTe anodic oxide, the microhardness is always increased while for PbTe, both anodic and chemical oxidation decreases the microhardness.Item Визначення параметрів міжґраткових обмінних взаємодій у ферит-шпінелі ni0 ,8 CUo,i6 BIo,o4 FE2 O4 за даними fe5 7 ядерного гамма-резонансу спектроскопії(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Юр ’єв, С. О.; Ющук, С. І.; Лопатинський, І. Є.; Національний університет "Львівська політехніка"Досліджено ефект Мьосбауера в ферит-шпінелі Nio,8Cuo,16Bio,o4Fe2O4 в температурному інтервалі 295-600 К. З температурних залежностей Неф на ядрах іонів Fe3+ в А- та В-підґратках у наближенні теорії молекулярного поля визначено значення інтегралів обмінних взаємодій для магнітнонеекві-валентних іонів Fe3+ А-підґратки. Mosbauer еПегі for ferrite-spinel Nio,8Cuo,16Bio,o4Fe2O4 at temperature region 295-6oo K was carried out. In approach of molecular magnetic field on temperature dependences of Hef on Fe3+ nuclei in A- and B-sublattices the values of exchange interaction integrals for nonequivalent Fe3+ ions in A- sublattice was obtained.Item Висококонтрастні рідкокристалічні модулятори лазерного випромінювання(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Лопатинський, І. Є.; Сушинський, О. Є.Дослідженно процес розсіювання лазерного випромінювання в шарі індукованого холестерика. Запропоновано шлях збільшення величини контрасту для рідкрокристалічних модуляторів на основі холестерико-нематичного переходу. Досліджувались суміші індукованих холестериків на трьох довжинах хвиль лазерного випромінювання 0,63 мкм, 1,15 мкм і 3,39 мкм із використанням запропонованої конструкції рідкокристалічної комірки. The light scattering of laser radiation in induced cholesteriс layers was investigated. The ways of contrast incrising for liquid crystal modulators based on cholesteric-nematic transiotion was represeted. The investigation of induсed cholesteric mixtures was on the three waves of laser radiation 0,63 mkm, 1,15 mkm і 3,39 mkm and in the represented liquid crystal cells.Item Властивості тонких плівок AgSbSe2 для термоелектричних перетворювачів(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Рудий, О. І.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.Наведено результати досліджень структури та оптичних властивостей тонких плівок AgSbSe2. Методом імпульсного лазерного осадження у вакуумі 1×10-5 Торр в інтервалі температур 300–473 K отримано плівки різної товщини на підкладках зі скла, Al2O3 та KCl. Товщина плівок становила 0,5–1 мкм залежно від кількості імпульсів лазера. Структуру масивного матеріалу мішені досліджено методом Х-променевої дифрактометрії, а плівок – методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Досліджено оптичне пропускання та оптичне поглинання плівок AgSbSe2, осаджених за різних температур. Досліджено термоелектричні властивості плівок. The results of experimental investigation of structural and optical properties of AgSbSe2 films are presented in this work. The films of AgSbSe2 of different thickness were obtained on Al2O3, glass and KCl substrates in vacuum of 1×10-5 Torr by the pulsed laser deposition method. The samples were obtained by the substrate temperature 300–473 K. A thickness of films was in the range of 0.5–1 μm depending on the number of laser pulses. The structure of target bulk materials was investigated by X-ray diffraction method. A structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. The light transmission and absorption spectra of AgSbSe2 deposited at various temperatures fil ms were investigated.Item Властивості тонких плівок AgSbSe2 для термоелектричних перетворювачів(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.Item Відліковий пристрій на рідких кристалах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Павлова, Г. О.; Ракобовчук, Л. М.; Яворський, Б. М.; Lopatinsky, I. E.; Pavlova, G.; Rakobovchuk, L.; Yavorsky, B.; Національний університет “Львівська політехніка”Розроблена конструкція аналого-дискретного відлікового пристрою, особливість якого полягає у відсутності зовнішніх джерел напруги, перетворювачів та подільників напруги. Наведено результати досліджень та розрахунків відлікових пристроїв на твістефекті та ефекті динамічного розсіювання світла.Item Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивості(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Войцеховський, А. В.; Вірт, І. С.; Коханенко, А. П.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Методами дифракції електронів високих енергійна відбивання та растрової електронної мікроскопії досліджена структура та морфологія поверхні епітаксійних плівок (ЕП) CdHgTe, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на підкладках Si (111) та GaAs (112) з буферними шарами.Досліджено деякі механічні невідповідності в багатошарових гетероструктурах, у тому числі й структурах з анодним оксидом.Подано результати досліджень деяких електрофізичних та фотоелектричних властивостей ЕП. The crystal structures and surface morphology of CdHgTe epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy on Si (111) and GaAs (112) substrates with buffer layers by the electron diffraction methob and electron scanning microscopy were investigated.Some mechanical properties epitaxial films, elastic properties of interfaces and characteristic misfit dislocations in multilayers heterostructures including structures with anodi oxides are investigated.Electrophysical and photoelectric parameters of CdHgTe epitaxial films were measured.Item Двійникування у плівках CdHgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Вірш, І. С.; Фружинський, М. С.; Національний університет "Львівська політехніка"Методом імпульсного лазерного осадження отримано плівки CdHgTe на різних підкладках. Методами електронографії та трансмісійної електронної мікроскопії досліджували початкові стадії росту плівок. Проаналізовані можливі причини двійникування в плівках та запропоновані методи уникнення двійникування на початкових стадіях формування плівок. The films of CdHgTe on alternative substrates were grown by a pulsed laser deposition technique. Study of initial stages of CdHgTe films by electron-difraction investigation and transmission electron microscopy was carried out. It is analysed the causes of the twinning effect in thin films CdHgTe. The methods of reducing the defect densities of initial stages of nucleation films were developed.Item Елементи теорії термодинамічних та кінетичних властивостей матеріалів(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Буджак, Я. С.; Готра, О. З.; Лопатинський, І. Є.У роботі обґрунтовані розрахункові алгоритми важливих термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів з довільними законами дисперсії та довільними механізмами розсіювання носіїв заряду в омічній області провідності і в неквантуючому магнітному полі. The calculating algorithms of important thermodynamic and kinetic properties of crystals with arbitrary dispersion laws and arbitrary mechanisms of scattering of charge carriers in ohmic conductivity range and in non-quantumed magnetic field are considered in this paper.Item Лінеаризація характеристики перетворення магнітокерованих інтегральних схем(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Лопатинський, І. Є.Подано результати розроблення і дослідження універсального перетворювача як частини однокристальної магніточутливої інтегральної схеми, який забезпечує ефективну і методологічно просту лінеаризацію характеристики перетворення інтегральних багатоколекторних магнітотранзисторів. Мінімальні структурні затрати та робота з уніполярними низьковольтними джерелами живлення є основними вимогами до розробки перетворювача. Принциповою особливістю пропонованого елемента інтегральної схеми є одночасна лінеаризація диференційного струмового сигналу по двох виходах без його перетворення в синфазний сигнал. The design and investigation of universal converter as a part of on-chip magnetosensitive integrated circuit which provides effective and metofologically simple linearisation of transduction characteristic of integrated multi-collector are presented at this paper. Minimal structural expenditure and operation with unipolar low-voltage supply sources are the important demands of design. The principal peculiarity of the proposed unit is simultaneous linearisation of differential current signal on two output without intermediate conversion to single-phase signal.Item Магнітні властивості плівок ZnMeO (Me = Cr, Co), отриманих лазерним осадженням(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Вірт, І. С.; Павловський, Ю. В.; Цмоць, В. М.; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Item Магнітні властивості плівок ZnMeO (Me = Cr, Co), отриманих методом імпульсного лазерного осадження(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Вірт, І. С.; Павловський, Ю. В.; Цмоць, В. М.,; Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.Наведено результати досліджень структури плівок ZnМеO, отриманих методом імпульсного лазерного осадження. Структуру плівок досліджували методом дифракції електронів високих енергій на проходження. Методом Фарадея досліджено залежності магнітної сприйнятливості від напруженості магнітного поля плівок твердих розчинів Zn1-хCoхO та Zn1-хCrхO (х=0,04). У межах Ланжевенівського парамагнетизму здійснено моделювання експериментальних кривих і визначено концентрації, магнітні моменти та розміри кластерів флуктуацій неоднорідностей твердого розчину. The results of experimental investigation of structural films ZnМеO, are presented in this work. Thr structure of laser deposited films was investigated by the transmission high-energy electron diffraction method. By Faradey's method were investigated the dependences of a magnetic susceptibility of tension of magnetic field of films Zn1-хCoхO and Zn1-хCrхO of solid solutions (х=0,04), obtained by pulsed laser deposition. Within Langeven paramagnetic modeling of experimental curves is carried out and concentration, the magnetic moments and the sizes of clusters of fluctuations of not uniformity of solid solution are defined.Item Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Лопатинський, І. Є.; Стахіра, П. Й.; Стахіра, Р. Й.; Токарєв, І. С.Розглядається теорія явища п’єзофотопровідності, яке дає інформацію про енергетичну залежність густини станів у напівпровідникових кристалах. Описано методику експериментального визначення спектрів п’єзофотопровідності. The theory of the tensiophotoconductivity phenomenon, which gives information about energy dependence of state density in semiconductor crystals, is considered. The method of experimental determination of tensiophotoconductivity spectra was described.Item Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.Item Надтонка структура ЯГР спектрів та обмінні взаємодії у Y-Sc-ферит-гранатах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Лопатинський, І. Є.; Юр’єв, С. О.; Ющук, С. І.Наведено результати досліджень ферит-гранатів Y3Fe5-xScxO12 (х = 0,5 та 1,0) при Т = 80 та 295 К методом 57Fe ядерної гамма-резонансної спектроскопії (ЯГР). Виявлено магнітно нееквівалентні положення тетраедричних (d) та октаедричних (а) іонів Fe3+. Магнітна нееквівалентність іонів Fe3+(d) зумовлена статистич¬ним розподілом іонів Fe3+(a) та Sc3+ (а) в найближчому оточенні іонів Fe3+(d). Магнітна нееквівалентність іонів )е3+(а) викликана неколінеарністю магнітних моментів іонів Fe3+ в найближчому тетраедричному оточенні. Показано, що перенесення спінової густини в 4-s оболонки іонів Fe3+(d) є незначним. The results of investigations of ferrite-garnet Y3Fe5-xScxO12 (x = 0,5 and 1,0) at T = 80 and 295 K by the 57Fe nuclear resonance method are presented here. Nonequivalent magnetic positions of tetrahedral (d) and octahedral (a) ions Fe3= are discovered. Magnetic non-equivalency of Fe3+(d) ions is caused by statistical distribu¬tion of Fe3+(a) and Sc3+ (a) ions in the nearest surrounding of Fe3+(d) ions. Magnetic non-equivalency of Fe3+(a) ions is caused by non-collinearity of Fe3+ ions in the nearest tetrahedral surrounding. It is shown that the transfer of spin density in 4 -s shell Fe3+(d) is slight.Item Перехідні шари в гетероструктурах на основі CdHgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Курило, l. B.; Рудий, І. 0.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Власенко, З. К.Методами електронографії, растрової та трансмісійної електронної мікроскопії, електронної Оже-спектроскопії, мікромеханічних досліджень та селективного хімічного травлення досліджували початкові стадії росту та формування перехідних шарів гетероструктур на основі CdHgTe, вирощених ізотермічною парофазною епітаксією та імпульсним лазерним осадженням. By electron diffraction, scanning and transmission electron microscopy, Auger-electron apectroscopy, micromechanical investigation and preferencial etching the initial stages of growth and the formation of the transition layers in heterostructures CdHgTe were investigated. The heterostructures were grown by isothermal vapor phase epitaxy and pulsed laser deposition.Item Рідкокристалічний матеріал для порогового сенсора температури(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Готра, О. З.; Фечан, А. В.; Микитюк, З. М.; Черпак, В. В.; Лопатинський, І. Є.Досліджено температурні залежності фізичних параметрів рідкокристалічних матеріалів та електрооптичних характеристик холестерико-нематичного переходу для немато-холестеричних сумішей на базі серійного нематичного рідкого кристала СЖК-1 з домішкою сильнополярного нематичного рідкого кристала бороксан та немезогенною оптично-активною домішкою ВІХН-3. Отримані результати дають змогу запропонувати конструкцію порогового сенсора температури. Принцип дії такого сенсора базується на зміні прозорості рідкокристалічної комірки під дією температури при сталій напрузі. The paper dedicated to investigation of temperature dependences of liquid crystal mixtures and electrooptical characteristics of cholesteric-nematic transition of nematic-cholesteric mixture on base of serial nematic liquid crystal SGK-1 with strong polar nematic liquid crystal boroxan and nonmesogenic optical active dopant VIHN-3 was carried out. The obtained results give a possibility to propose a threshold temperature sensors construction. The principle of sensor functioning based on transparency changing of liquid crystal cell at constant applied voltage.Item Спектральний аналіз морфології поверхні тонких плівок(Видавництво Львівської політехніки, 2018-11-13) Вірт, І. С.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Дрогобицький державний педагогічний університет імені І. Франка; університет «Львівська політехніка»