Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту

Loading...
Thumbnail Image

Date

2000

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”

Abstract

Розглядається теорія явища п’єзофотопровідності, яке дає інформацію про енергетичну залежність густини станів у напівпровідникових кристалах. Описано методику експериментального визначення спектрів п’єзофотопровідності. The theory of the tensiophotoconductivity phenomenon, which gives information about energy dependence of state density in semiconductor crystals, is considered. The method of experimental determination of tensiophotoconductivity spectra was described.

Description

Keywords

Citation

Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту / І. Є. Лопатинський, П. Й. Стахіра, Р. Й. Стахіра, І. С. Токарєв // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 104–108. – Бібліографія: 2 назви.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By