Browsing by Author "Павлиш, В. А."

Now showing 1 - 20 of 20

Аналіз особливостей формування поля періодично- неоднорідного діелектричного циліндра
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2009) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.
Аналіз похибок визначення просторових координат джерела акустичних сигналів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Романишин, Ю. М.; Спіченков, С. Ю.; Павлиш, В. А.; Корж, Р. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
Проведено аналіз похибок обчислення просторових координат джерела акустичних сигналів під час їх визначення за допомогою мікрофонної антенної решітки на основі імітаційного моделювання похибок вхідних даних. На основі проведеного аналізу для двох варіантів обчислювальних процедур (з використанням неповної системи рівнянь та методу найменших квадратів) встановлено межі похибок вхідних даних, за яких похибки визначення координат джерела сигналу не перевищують заданого значення.
Дефектність структур електронних засобів та проблема адекватності її розрахунку
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001-03-27) Павлиш, В. А.; Данчишин, І. В.; Корж, Р. О.; Вишняков, Д. В.; Національний університет "Львівська політехніка"
Запропоновано модель розрахунку виходу придатних кристалів інтегральних схем із врахуванням дво- та тривимірної дефектності мікроструктур електронних засобів.
Збудження іипедансного циліндра модульованого періодичною послідовністю імпульсних функцій трикутної форми
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.
Математичні моделі періодично-неоднорідного діелектричного циліндра та їх аналіз
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.
Наведено результати розроблення математичних моделей випромінювальних та хвилеводних структур на базі періодично-неоднорідного діелектричного циліндра. Моделі побудовані на основі строгих розв’язків відповідних електродинамічних задач збудження періодично-неоднорідних структур, отримані у вигляді гіллястих ланцюгових дробів. Результати аналізу дробів, що описують характеристики випромінювання та поширення поля такими структурами, вказують на значні потенційні можливості періодично-неоднорідних структур для задач освоєння терагерцового діапазону частот та створення новітніх інфокомунікаційних систем. This article represents the results of elaboration of mathematical models of radiating and wavy structures on the basis of the periodically heterogeneous dielectric cylinder. Models are constructed on the basis of strict solutions of corresponding electrodynamic problems of excitation of the periodically heterogeneous structures are deduced in shape of the branched continual fractions. The results of the analysis of fractions, which describe characteristics of radiation and field distributions by such structures, point at considerable potential possibilities of periodically heterogeneous structures for tasks of mastering of the tera hertz range of frequencies and creation of the newest info-communicational systems.
Модель перехідної ділянки між внутрішнім і зовнішнім виводом ІС та її характеристики
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2006) Юрченко, Л. Д.; Дячок, Д. Т.; Павлиш, В. А.
Розглянуто модель перехідної ланки між контактною площинкою підкладки і зовнішнім виводом інтегральної схеми. Наведено формули, що описують її параметри – опір, час затримки, стала часу дільниці, тривалість перехідного процесу і її втрати. Розраховано залежність втрат від частоти. Показано, що втрати на частотах до 3 ГГц задовольняють працездатність дільниці. Визначено, що час затримки на дільниці слабко залежить від активної складової її опору. На нижчих частотах ця залежність зростає, але сам час затримки при цьому зменшується. The article considers the model of the transition area between the substrate pad and the IC external terminal. There are presented the formulae describing its parameters: resistance, delay time, area time constant, transient process duration and its loss. The dependence of the loss on the frequency is calculated. It is shown that the loss at frequencies up to 3 GHz satisfy the area operability. It is found that delay time in the area depends negligibly on its resistance active component. At lower freguencies this dependence increases while the delay time decreases
Моделювання електричних характеристик нанорозмірного транзистора
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Павлиш, В. А.; Закалик, Л. І.; Корж, Р. О.; Доскоч, З. І.
Розглянуто можливість формалізації фізичних процесів в одноелектронному транзисторі (ОЕТ). З усіх розглянутих методів моделювання нанотранзисторів найбільш близькою до реальних умов роботи цих елементів є функція Гріна для неврівноважених процесів, оскільки вона враховує квантову природу електрона за рахунок поєднання Гамільтоніана і хвильової функції Шредінгера. Це дає можливість через функцію Гріна моделювати електричні характеристики ОЕТ. Ця робота ще вдосконалюється, але перші результати близькі до реальних характеристик. Theoretical modeling of physical processes in one-electron transistor (OET) is considered in present article. Among all considered theoretical methods for nanotransistors modeling most close to real operation of this element is Green function for non-equilibrium processes because it considers quantum nature of electron combining Hamiltonian and Schrödinger wave function. This allows modeling of OET electric characteristics through Green function. Present work is in process but first results are very close to real characteristics.
Моделювання поширення електромагнітних хвиль у волокнах на фотонних кристалах
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2004-02-18) Павлиш, В. А.; Закалик, Л. І.; Корж, Р. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
Розглянуто поширення електромагнітних хвиль у фотонних кристалах, які мають діркову періодичну структуру і є діелектричними матеріалами. При розрахунку використовуємо рівняння Максвелла з врахуванням періодичної зміни діелектричної проникливості і існування забороненого спектра частот.
Моделювання фотонних кристалів гіллястими ланцюговими дробами
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.; Ничай, І. В.
Для опису фотонних кристалів запропоновано моделі у вигляді гіллястих ланцюгових дробів. Проаналізовано переваги таких моделей для задач дослідження інфокомунікаційних властивостей фотонних кристалів на базі модульованих нанорозмірних структур. Досліджено особливості розподілу поля одновимірного фотонного кристала на основі тонкої періодично-неоднорідної пластини. Розглянуто прикладні задачі використання результатів цього дослідження в перспективних інфокомунікаційних системах. In given paper the models of photon crystals in the form of branchedcontinual fractions are offered. Advantages of such models for the problems of research of info-communicational properties of the photon crystals on the basis of modulated nano-dimensional structures are analysed. Features of a field distribution of the one-dimensional photon crystal on the basis of thin periodically - a non-uniform plate are investigated. Applied problems of results use of the given research in perspective info-communicational systems are considered.
Нанорозмірні хвилеводи поверхневих плазмон-поляритонів, отримані методом оптичної літографії
(Видавництво Львівської політехніки, 2015) Невінський, Д. В.; Павлиш, В. А.; Закалик, Л. І.; Лебідь, С. Ю.
Запропоновано метод поетапної оптичної літографії з використанням як джерела світловипромінювальних діодів (СВД) з довжинами хвиль 410 нм та 365 нм для отримання діелектрично-неоднорідних хвилеводів. Досліджено поширення поверхневих плазмон-поляритонів у разі збудження початку хвилевода за допомогою лазера на довжині хвилі 632,8 нм. Отримано зображення Фур’є, яке підтверджує виникнення поверхневого плазмон-поляритона. The paper presents a method of phased optical lithography using as source, lightemitting diodes (LED) with wavelengths of 410 nm and 365 nm to form inhomogeneous dielectric waveguides. Distribution of surface plasmon polaritons, at the beginning of the excitation of the waveguide with 632.8 nm laser was studied. Fourier image confirming occurrence of surface plasmon polaritons was obtained.
Нелінійні властивості фотонних кристалів: симуляційні методи передбачення релаксаційних напружень
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Павлиш, В. А.; Закалик, Л. І.; Корж, Р. О.
Проаналізовано нелінійні властивості фотонних кристалів залежно від вибору матеріалу та методів їх отримання, а також фактори, які призводять до погіршення коефіцієнта нелінійності під час виготовлення та їхньої реалізації в комунікаційних системах. Analysis of non-linear properties of photon crystals depending on material choice and fabrication methods is conducted in current work. Factors leading to coefficient of nonlinearity decrease during their fabrication and during their application in communication systems areanalysed as well.
Обґрунтування локалізації небезпечних зон витоку інформації в екранованому серверному приміщенні
(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.; Ніколаєв, Д. А.
Наведено результати обґрунтування локалізації небезпечних зон витоку інформації в екранованому серверному приміщенні. Продемонстровано, що опис електромагнітної обстановки у серверному приміщенні на основі класичної моделі у вигляді прямокутного об’ємного резонатора помітно відрізняється від опису, побудованого на основі варіаційних методів для внутрішніх задач електродинаміки, який адекватніший реальній фізичній обстановці. Justification of the area localisation with data leak hazard in a shielded server room is provided in this paper. The difference between classic rectangular cavity model and more appropriate by its physical and spatial description technique based on variational methods for internal problems of electrodynamics is illustrated by an example.
Особливості поширення та випромінювання хвиль в плоскій діелектричній структурі з двохкратною періодичністю
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.; Ничай, І. В.
Поле антенної решітки ромбічних випромінювачів на основі щілинної лінії передавання
(Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.; Ліске, О. М.; Тепляков, І. Ю.; Hoblyk, V. V.; Pavlysh, V. A.; Liske, O. M.; Teplyakov, I. Yu.; Національний університет “Львівська політехніка”; кафедра електронних засобів інформаційно-комп’ютерних технологій; Lviv Polytechnic National University; Department of Electronics and Computer Technologies
Розглянуто планарну антену у вигляді решітки ромбічнихщілинних випромінювачів, що живляться полем біжучих хвиль, створено її фізичну модель і експериментально досліджено електродинамічні характеристики. Експериментально досліджено коефіцієнт сповільнення і коефіцієнт загасання хвилі в щілинний лінії передачі. Проаналізовано результати експериментальних досліджень. Розроблено схему живлення антенної решітки, що забезпечує синфазність збудження щілинних ромбічних випромінювачів, завдяки чому отримана діаграма спрямованості має односпрямований характер.
Розподіл поля діелектричної пластини зі складним профілем зміни діелектричної проникності
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.; Ничай, І. В.
Для дослідження особливостей формування поля діелектричної пластини зі складним профілем зміни діелектричної проникності наведено математичну модель у вигляді гіллястого ланцюгового дробу. Представлено результати просторового розподілу поля над структурою для різних значень її конструктивних параметрів та параметрів функції, яка описує її діелектричну проникність. In given paper the mathematical model in form of branched continual fraction for research of features of forming of the field of periodically nonuniform dielectric plate with complex profile of dielectric permittivity change is considered. The numerical results of spatial distribution of the field for the different parameters of function that discribe dielectric permittivity of plate are represented.
Спосіб вимірювання опору контактного з'єднання мікродроту і плівкового провідника
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Дячок, Д. Т.; Павлиш, В. А.; Смеркло, Л. М.
Розглянуто питання вимірювання електричного опору мікроконтактного з'єднання дроту і плівкового провідника в інтегральних мікросхемах і мікроскла- даннях. Запропоновано спосіб, який підвищує точність вимірювання. The problems of measurement of electrical resistance of mikrocontact connection of wire and film conductor in integrated microcircuits and microassemblies are considered. The new method which improves measuring precision is proposed.
Стабільність товстоплівкових резисторів, виготовлених на основі паст серії серії 4400з провідниковими елементами із паст 1785 і 1785М (за результатами кліматичних випробувань)
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Дячок, Д. Т.; Павлиш, В. А.; Немеш, В. Г.
Досліджено стабільність товстоплівкових резисторів на основі паст серії 4400(КЛИС750771.002ТУ) з провідниковими елементами із паст 1785 (АУЭ0.027.066ТУ) 1785М, нанесених на підкладки ВК94-1 і ВК100-1. Проведено оцінку впливу на стабіль- ність резисторів матеріалу провідникової пасти та матеріалу підкладки, а також перевірку окремих електрофізичних параметрів елементів, виготовлених із провіднико- вих паст на відповідність вимогам технічних умов АУЭО.027.066ТУ. There has been investigated the stability of ruthenium thick-film resistors based on the series 4400 (КЛИС750771.002ТУ) pastes and having conductor elements from 1785 (АУЭ0.027.066ТУ) and 1785M pastes deposited on the substrates ВК94-1 and ВК100-1. The influence of the conductor paste material and substrate material on the resistor stability has been estimated. Some electrical and physical parameters of the elements made from the conductor pastes have been checked for the compliance with the specification requirements АУЭ0.027.066ТУ.
Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Логуш, О. І.; Павлиш, В. А.
Наведено результати експериментальних досліджень впливу гетерування цинком на суцільність плівок SiO2. Показано, що введення цинку в парогазове середовище за термічного окислення кремнію приводить до покращання суцільності плівок. Експериментально підтверджена модель процесу гетерування тримірних дефектів плівок термічного діоксиду кремнію, яка полягає у зниженні рухливості дислокацій приповерхневої області кремнієвих пластин і зменшення внаслідок цього локальних напружень плівок в процесі росту. The results of experimental investigations of zinc gettering influence on uniformity of SiO2 films and parameters of MOS-structures as a whole are shown. It was demonstrated that adding of zinc into vapor during silicon thermal oxidation results in improvement of films uniformity. The model of gettering process of 3D-defects in thermal silicon dioxide films, which consists in decreasing of dislocation mobility in silicon wafer surface region thus leading to decreasing of local film stresses during growth process, is experimentally approved.
Хвилевід, сформований методом двофотонної полімеризації
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Павлиш, В. А.; Закалик, Л. І.; Невінський, Д. В.
Якість підготовки фахівців в інституті комп'ютерних технологій, автоматики та метрології
(ЛА "Піраміда", 2019) Бобало, Ю. Я.; Павлиш, В. А.; Микийчук, М. М.; Дунець, Р. Б.; Національний університет «Львівська політехніка»