Browsing by Author "Яковина, В. С."

Now showing 1 - 12 of 12

Аналіз використання комунікаційної системи ONIF для створення відео-лекцій у ВНС ЛП
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2010) Ільканич, В. Ю.; Яковина, В. С.; Ільканич, К. І.
В роботі проведено аналіз та порівняння засобів для наповнення важливої складової інформаційного поля електронної дисципліни – відео-лекцій. Показано переваги комунікаційної он-лайн системи ONIF над популярним засобом спілкування Skype. The analysis and comparison of tools for creating an important part of electronic course, viz. video-lectures have been carried out at present work. The advantages of on-line communication system ONIF with respect to Skype system have been demonstrated.
Архітектура віртуального інноваційного простору для ІТ-студентів
(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Жежнич, П. І.; Завалій, Т. І.; Яковина, В. С.; Сердюк, П.
Побудовано компоненту та програмну архітектуру Віртуального інноваційного простору як спеціалізованої Веб-спільноти для ІТ-студентів. Обґрунтовано необхідність ведення високорівневої розробки VIS за допомогою системи керування контентом Drupal. Для побудови програмної платформи VIS вибрано типовий набір Apache, PHP, MySQL. This paper deals with the component and software architecture developed of Virtual Innovation Space as a specialized Web-community for IT-students. VIS development is motivated to be performed at high levels with the content management system Drupal. VIS software platform consists of typical set Apache, PHP, MySQL.
Вплив зовнішніх факторів на люмінесцентні властивості вольфрамату кальцію
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Яковина, В. С.; Жидачевський, Я. А.; Михайлик, В. Б.; Сольський, І. М.; Сугак, Д. Ю.; Yakovyna, V. S.; Zhydachevskii, Ya. A.; Mikhailik, V. B.; Solskii, I. M.; Sugak, D. Yu.; Національний університет “Львівська політехніка”; Оксфордський університет; Інститут матеріалів, НВП “Карат”
З використанням синхротронного випромінювання досліджено плив дефектів у аніонній підґратці на параметри люмінесценції вольфрамату кальцію. Отримано спектри емісії та спектри збудження високо- та низькоенергетичної смуг люмінесценції. Форма спектрів збудження в районі 6–8 еВ може бути ідентифікована як O2p –W5d електронні переходи всередині комплексу WO4. Експериментально підтверджено, що міжвузловинний кисень та азот в аніонній підґратці утворюють рівні поблизу стелі валентної зони, і, отже, приводять до стабілізації дірок, які формують автолокалізовані екситони і випромінювальний розпад яких вважається відповідальним за природу сцинтиляцій у вольфраматах.
Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Яковина, В. С.; Нікіфоров, Ю. М.; Берченко, М. М.
Об'ємні монокристали Hg0.8Cd0.2Te n-типу обробляли лазерно-індукованими ударними хвилями (ЛУХ) без термічного впливу. Показано, що зміни концентрації носіїв заряду становлять до 120 %, а їх рухливості до 45 % від вихідної. Пропонується пояснення цих змін взаємною дією трьох механізмів взаємодії ЛУХ з дефектною підсистемою кристалів Hg1-XCdXTe. Bulk n- Hg0.8Cd0.2Te samples were treated using laser induced shock waves (LSW) without thermal effects. It is shown that the carrier density changes up to 120 % and their mobility changes up to 45 %. Three mechanisms of interaction between LSW and bulk Hg1-XCdXTe defect subsystem are given.
Дослідження характеристик криптостійкості алгоритмів симетричного шифрування DES
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Яковина, В. С.; Федасюк, Д. В.; Салій, С. І.; Сенів, М. М.
Здійснено дослідження характеристик дифузії та конфузії алгоритму DES та статистичне дослідження особливостей шифрування цього алгоритму. Встановлено, що середнє значення дифузії і конфузії алгоритму DES становить 49,7 % та 49,8 % відповідно, а дисперсія значень залежно від номера біта блока (чи ключа) становить 2,3 % і 3,5 %. Показано, що середня імовірність появи i-го байта шифрованого тексту, що збігається з i-м байтом відкритого тексту, становить 0,39 % для кожного байта. Обґрунтовано використання алгоритму DES як генератора псевдовипадкових чисел для розподіленої системи теплового проектування та показано можливі способи крипто- аналізу алгоритму за схемою "з вибраним відкритим текстом". The studies of diffusion and confusion characteristics as well as encrypting peculiarities DES algorithm have been performed. The diffusion and confusion mean value is 49.7 % and 49.8 % correspondingly with dispersion depending on bit number of 2.3 % and 3.5 %. It is shown that average probability of i-th plain text byte to be equal to i-th cipher text byte is about 0.39 % for each byte. The exploitation of the DES algorithm as a random number generator for distributed thermal design system has been substantiated as well as the possible ways for the algorithm cryptanalysis using chosen plaintext have been demonstrated.
Математичні моделі та методи аналізу надійності радіоелектронних, електротехнічних та програмних систем
(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Бобало, Ю. Я.; Волочій, Б. Ю.; Лозинський, О. Ю.; Мандзій, Б. А.; Озірковський, Л. Д.; Федасюк, Д. В.; Щербовських, С. В.; Яковина, В. С.; Національний університет “Львівська політехніка”
Висвітлено питання, які стосуються оцінки показників надійності складних радіоелектронних та електротехнічних систем, а також надійності програмного забезпечення, що є складовою сучасних програмно-апаратних систем. Основну увагу звернуто на початковий етап життєвого циклу технічних систем, на якому розробник визначає концепцію забезпечення їх надійності. Монографія становить інтерес для розробників відповідних технічних систем, наукових працівників, аспірантів, які займаються питаннями забезпечення та прогнозування надійності, а також для студентів, які готуються до майбутньої професійної діяльності у сфері надійнісного проектування.
Методи та засоби організації тестування у ВНС ЛП
(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Яковина, В. С.
Описано можливості ВНС ЛП щодо оцінювання якості та контролю знань студентів. Проаналізовано доцільність використання різних типів тестових питань при формуванні завдань для контрольних заходів та екзаменаційного контролю відповідно до рекомендацій нормативних документів Львівської політехніки. The present work demonstrates the resources of Lviv Polytechnic Virtual Educational Framework concerning quality evaluation and students' achievements control. The expediency of using different quiz questions for exam and control procedure tasks composition has been analysed according to Lviv Polytechnic regulatory acts.
Модель міжатомних взаємодій у вольфраматі кальцію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Сенишин, А. Т.; Яковина, В. С.; Полигач, Є. О.
Розраховано параметри потенціалів міжатомних взаємодій у кристалі вольфрамату кальцію. На основі експериментальних пружних постійних кристала побудована квазігармонійна модель Дебая. Проведені розрахунки динаміки гратки вольфрамату кальцію на основі квазігармонійного наближення та статичної мінімізації енергії з використанням програмного коду GULP. При високих температурах гармонійні властивості вольфрамату кальцію не зовсім коректно описуються відповідними інтерполяційними формулами в моделі Дебая внаслідок врахування впливу тільки акустичних фононів. У межах моделі міжатомних взаємодій розраховано структурні та пружні параметри, модуль Юнга, статичний коефіцієнт заломлення, температуру Дебая, фононну густину станів, теплоємність та параметр Грюнайзена. Спостерігалось добре узгодження експериментальних та розрахованих властивостей. The interatomic interactions have been derived for the case of calcium tungstate. With this potential the quasiharmonic Debye model has been constructed based on elastic properties of the crystal. The lattice dynamics simulations based on quasiharmonic approximation and static lattice energy minimisation have been performed using the code GULP. At elevated temperatures, due to including acoustic phonons only the Debye model is not appropriate way for describing the harmonic properties of crystal. Considering structural and elastic properties, Young modulus, static refractive coefficient, Debye temperature, phonon density of states, heat capacity and Grüneisen parameter the good agreement between experimentally observed and calculated physical properties has been detected.
Моделювання параметра потоку відмов програмного забезпечення та визначення діапазонів показника його складності
(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Яковина, В. С.
Проведено моделювання поведінки параметра потоку відмов програмного забезпечення у випадку моделі надійності ПЗ з індексом складності, що дало змогу встановити діапазони значень цього індексу та пояснити поведінку функції виявлення помилок залежно від складності програмного продукту. The behaviour of failure intensity function for software reliability model with complexity index depending on the model parameters has been simulated. It allows identifying the margins of the complexity index and explaining the defect revealing function behaviour depending on software complexity.
Особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та границі розділення твердих тіл
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Берченко, М. М.; Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.; Яковина, В. С.
Дослідження накопичення дефектів на поверхні кремнію, екранованого від теплової дії, залежно від густини потоку та сумарної поглинутої енергії лазерного випромінювання, в режимі генерації ударних хвиль. Виявлено утворення точкових дефектів, що відпалюються при 450 К. Показано, що електроопір та вольт-амперні характеристики границі розділення та поверхня твердих тіл можуть керовано змінюватися за допомогою лазерних ударних хвиль. Acumullation of defects as a function of the absorbed energy flow density resulting from LSW generation on a Si crystal surface, protected with a heat screen has been investigated. Formation and reduction of point defects at 450K was observed. It was demonstrated that LSW processing can selectively modify resistance IU characteristic of surface and interface layers in solids.
Прогнозування відмов програмного забезпечення з використанням нейронної мережі на основі радіально-базисних функцій
(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Яковина, В. С.
Використано радіально-базисну нейронну мережу для прогнозування відмов програмних продуктів. Досліджено вплив функції активації такої нейронної мережі на ефективність навчання та прогнозування відмов програмного забезпечення. Показано, що оптимальною функцією активації для цієї задачі є Inverse Multiquadric з 10 нейронами у вхідному шарі та 30 – у прихованому (квадрат коефіцієнта кореляції між прогнозованими та експериментальними даними становить 0,997, а середнє квадратичне відхилення – 14,4). In this paper the radial-basis neural network was used for software failures prediction. The influence of activation function of the RBF neural net on the learning efficiency and software failures prediction is studied. It is shown that the optimal activation function is Inverse Multiquadric with 10 neurons in the input layer and 30 neurons in the hidden one (square of Pearson correlation coefficient is 0.997 and mean deviation is 14.4).
Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe
(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Яковина, В. С.; Берченко, М. М.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.
На прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.