Електроніка. – 2007. – №592

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/3175

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007. – № 592 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 184 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
    Наведено результати, отримані під час розроблення технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX за механізмом пара–рідина–кристал (ПРК- механізмом) методом газотранспортних реакцій. Визначено залежність складу вирощених мікрокристалів від температурного режиму процесу вирощування. За розробленою технологією було вирощено мікрокристали InAs1-XSbX, в яких вміст InSb становив 4 мол.% та 16 мол.%. Проведені дослідження показали можливість одержання мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази в хлоридній системі. Results obtained while developing the technology of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical transport reactions method in conjunction with VLS-mechanism are represented. Composition dependence of the microcrystals grown upon the thermal conditions of the growth process is determined. InAs1-XSbX microcrystals with InSb content of 4 molar % and 16 molar % have been grown by means of the technology developed. The conducted research demonstrated the possibility of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system.
  • Thumbnail Image
    Item
    Нові підходи та апаратура для real-time дослідження сенсорів магнітного поля в жорстких радіаційних умовах.
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Є.; Марусенков, А. В.; Мороз, А. П.
    Розглянуто питання створення для дослідження гальваномагнітних сенсорівв процесі їх опромінення в нейтронних реакторах. Новизною роботи є те, що дослвідження параметрів сенсорів проводяться: по-перше, безпосередньо під час їх опромінення (real-time) і, по-друге, при дуже високих рівнях радіаційного випромінювання. Розроблена апаратура була успішно апробована і використана в експерментах з дослідження радіаційної стійкості гальваномагнітних сенсорів Лабораторії магнітних сенсорів (Національного університету "Львівська політехніка")в реакторі ИБР-2 (ОІЯД, Дубна, Росія)у жовтні 2006 року. Present work raises the issues of creating the instrumentation for the investigation of galvanomagnetic sensors during their irradiation in the neutron reactors. The novelty of the work consists in the fact that investigation of the sensors’ parameters was conducted, first, directly during the irradiation (in real time), and, second, under the conditions of very harsh penetrating irradiation (fast neutron fluence above 1018n/cm2). Developed instrumentation has been successfully tested and applied in the experiments on investigation of radiation stability of galvanomagnetic sensors of Magnetic Sensor Laboratory (Lviv Polytechnic National University) in the reactor IBR-2 (JINR, Dubna, Russia) in October 2006.