Електроніка. – 2007. – №592

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/3175

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007. – № 592 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 184 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Термомеханічні напруження в мікрочіповому Nd3+:YAG-лазері з пасивним модулятором добротності на основі плівки Сr4+:YAG
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Бурий, О. А.
    Розглядаються теплові процеси в мікрочіповому лазері на основі кристала Nd3+:YAG, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr4+:YAG, яка має властивості поглинача, що насичується. За системою швидкісних рівнянь визначено величину питомого тепловиділення, що існує при лазерній генерації. При відомому часовому та просторовому розподілі питомого тепловиділення за рівнянням теплопровідності визначено розподіл температури, за допомогою якого визначено величини термомеханічних напружень, що виникають в лазері в процесі генерації. The heat processes are considered for microchip Nd3+:YAG-laser passively Q-switched by Cr4+:YAG film that has got the properties of saturable absorber. The specific heat generation is determined from the system of the rate equations. At the given time and space distribution of the specific heat generation the temperature distribution is determined from the heat conduction equation. The temperature distribution is used for the calculation of the thermomechanical strains appearing during the laser action.