Електроніка. – 2007. – №592

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/3175

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007. – № 592 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 184 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
    Наведено результати, отримані під час розроблення технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX за механізмом пара–рідина–кристал (ПРК- механізмом) методом газотранспортних реакцій. Визначено залежність складу вирощених мікрокристалів від температурного режиму процесу вирощування. За розробленою технологією було вирощено мікрокристали InAs1-XSbX, в яких вміст InSb становив 4 мол.% та 16 мол.%. Проведені дослідження показали можливість одержання мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази в хлоридній системі. Results obtained while developing the technology of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical transport reactions method in conjunction with VLS-mechanism are represented. Composition dependence of the microcrystals grown upon the thermal conditions of the growth process is determined. InAs1-XSbX microcrystals with InSb content of 4 molar % and 16 molar % have been grown by means of the technology developed. The conducted research demonstrated the possibility of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання процесів масоперенесення твердих компонентів через газову фазу в системі InAs–Sn–HCl
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Шуригін, Ф. М.; Макідо, О. Ю.; Кость, Я. Я.
    Наведено результати термодинамічних розрахунків системи InAs-Sn-HCl, на основі яких було проведено дослідження масоперенесення твердих компонентів через газову фазу. Показано, що для цієї системи можна використати порівняно прості математичні моделі та розрахунки, які досить точно описують реальні процеси, що відбуваються в газовій фазі, а одержані розрахункові дані масоперенесення добре узгоджуються із експериментальними даними сумарного масоперенесення в реальних процесах. Досліджено залежності масоперенесення компонентів системи від температури зони джерела та визначено оптимальну температуру зони джерела для цього процесу. Results of InAs-Sn-HCl system thermodynamic calculations, on the basis of which we carried out the research of solid component mass transfer through vapor phase, are represented. It is demonstrated that relatively simple mathematic models and calculations can be used for this system, and their description of the real processes taking place in the vapor phase is rather accurate. The results of mass transfer calculation data are in accord with the experimental data of the total mass transfer in the real processes. Research into dependencies of the system component mass transfer upon source region temperature has been carried out, and optimal source region temperature for the process has been determined.