Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38591
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Національного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща та Словаччини. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 151 с. : іл.
Browse
Item Зміст до Вісника «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки» № 427(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001)Item Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.Показано вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Досліджено гетерування дефектів за допомогою іонної імплантації вольфраму. Запропоновано засоби зменшення дефектоутворення при проведенні технологічних операцій. The influence of imperfections and dislocation on the electrical parameters of power DMOS transistors is presented in this paper. The imperfection gettering by W ions implantation is investigated. Methods for reduction of imperfection at technological process are proposed.Item Високоефективні резонатори на поверхневих акустичних хвилях(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Смеркло, Л. М.; Шкоропад, В. П.Розглянуто питання розробки високоефективних резонаторів на ПАХ. Наведено методику їх розрахунку. Досліджено залежність добротності від кількості елементів решітки і від питомого опору плівки, що формує топологію рисунка резонаторів. Визначено похибку встановлення центральної частоти. The design of high-efficient resonators on surface acoustik waves is considered. The method of resonators calculations is presented. The dependence of Q-factor on grate element amount and on specific resistance of film which forms resonator topological image is investigated. The error of central freguency set is determined.Item R+А-центри в кристалах флюориту. Механізм утворення(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Качан, С. І.Запропоновано механізм утворення високотемпературних центрів забарвлення (R+А-центрів) в кристалах Са F2-M_+ внаслідок локалізації рухливих F- центрів біля ще стабільних при цих температурах М+А-центрів забарвлення. Виявлено, що R+a-центри утворюються в кристалах, легованих лужними домішками, іонний розмір яких менший від катіона основи. In work offered mechanism of making the high-temperature colour center (R+А- center) in CaF2-Me+. Crystals in consequence of localizations rolling F-center near else stable under these temperatures M+A colour centres. Detemined, that R+A-centres are formed in crystals, doped alkali admixtures, ion size which smaller from cation basis.Item Вплив атомів водню на систему Ni-Ge(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Матюшин, В. M.; Мартинюк, P. B.Досліджується процес гетеродифузії в германії під впливом атомарного водню на основі модельної системи Ni-Ge. Розглянуто вплив процесу дефекто-утворення на протікання дифузії атомів нікелю в приповерхніх прошарках германію. Розраховано розподіл концентрації нікелю в германії. Запропоновано фізичну модель процесу стимулювання гетеродифузії атомарним воднем з урахуванням впливу дефектів. Based upon a model system Ni-Ge, research of diffusion stimulated by hydrogen atoms is held. It is shown that defect creation processes caused by hydrogen-atom- recombination have a great effect on nickel diffusion in germanium subsurface layers. The nickel-in-germanium concentration distribution is calculated. The physical model of chemistimulated diffusion is suggested.Item Оптико-механічні властивості селеніду цинку(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Білинський, Ю. М.; Захар’яш, О. С.; Кособуцький, П. С.; Лахоцький, Т. В.Наведено результати досліджень оптико-механічних властивостей селеніду цинку. Проведено порівняльний аналіз фізичних властивостей селеніду цинку монокристалічного, полікристалічного та матричного типів, а також оптичної кераміки (КО-4). The results of tests of optic and mechanical properties of zinc selenide is presented in this paper. The comparison analysis of zinc selenide of monocryctalline, poli- crystalline and matrix type and optic ceramics (KO-4) is carried out.Item Дослідження еволюції дефектної структури опромінених кристалів a-ZnP2 методом анігіляції позитронів і вивчення кінетики мікромеханічних параметрів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Кудін, А. П.Вивчено еволюцію дефектів структури у кристалах червоного дифосфіду цинку при опроміненні і відпалі методом анігіляції позитронів і ідентування. Researched evolution defects of structure in crystals of red zinc diphosphide by irradiation and annealing means of positron annihilation and indentation.Item Thick film structure resistor on dielectric(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Gotra, Zenon; Jakubowska, Malgorzata; Szczepanski, ZbiegnewРозглянуто нові товстоплівкові матеріали для структурного резистора на діелектрику і описано властивості такої структури. Досліджено стабільність та п’єзоелектричні властивості резистора на діелектрику. The new set of thick film materials for a structure resistor on dielectric and the properties of the of this structure are presented in this paper. The properties of resistor placed on dielectric such as stability, piezoresistive properties as well as microstructure was investigated.Item МА+-центри в кристалах зі структурою флюориту. механізм утворення фотоіндукованого дихроїзму(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Чорній, З. П.; Качан, С. І.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.Досліджено кінетику виникнення фотоіндукованого дихроїзму і температурну залежність релаксації дихроїзму в смугах поглинання МА+-центрів, радіаційно забарвлених кристалів CaF2 і SrF2, легованих катіонами лужних металів. Обговорюються механізми створення фотоіндукованого дихроїзму і його термічного відпалу. Explored kinetics of origin photoinductive dichroism and warm-up dependency to relaxations dichroizm in bands of absorbing МA+-centers, radiation coloured crystals CaF2 and SrF2, doped cations alkaline metals. Discussed mechanisms of creation photoinductive dichroism and its thermal annealing.Item До питання про новий метод в теорії кінетичних властивостей кристалів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Буджак, Я. С.Актуальні кристали твердотілої електроніки характеризуються різноманітними кінетичними властивостями. Частина цих властивостей в омічній області провідності обумовлюється рівноважною концентрацією носіїв зарядів n0 та характером їх руху між вузлами кристалічної гратки, а інші - нерівноважною концентрацією. Пропонується метод загальної теорії всіх кінетичних властивостей кристалів. Actual crystals of solid-state electronics posses various kinetic properties. Some of them in the ohmic-conduction region are defined by the equilibrium carrier concentration n0 and nature of their movement between the nodes of crystalline lattice. Another properties depend on the non-equilibrium carrier concentration. The method of the general theory of all the kinetic properties of the crystals is proposed.Item Широкосмугові функціонально-синтезуючі перетворювачі твердотільних сенсорних інтегральних схем(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Голяка, Р. Л.Розглядаються причини обмеження ширини смуги робочих частот твердотільних біполярних сенсорних інтегральних схем (ІС). Запропоновані схемно-структурні рішення широкосмугових нелінійних функціонально-синтезуючих перетворювачів. Розроблені перетворювачі дозволяють створювати сенсорні ІС, зокрема фото- чи магнітосенсорні твердотільні ІС, з полосою робочих частот до 1 ГГц. Causes of frequency band limitation in solid-state bipolar sensor integrated circuits (IC) are considered. New circuit solutions of wide-band nonlinear secondary transducers for functional synthesis are proposed. Designed transducers allow to develop sensor integrated circuits with frequency band up to 1 GHz and can be used in photo- and magneto-sensor single-chip devices.Item A contribution to the study of microactuators(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Dovica, Miroslav; Slosarcik, StanislavНаведено основні відомості з галузі мікромеханіки, зокрема класифікація мікроактюаторів з точки зору їх використання при розробці рухомих машин [6]. Описано електростатичні, електромагнітні, п'єзоелектричні, магнітнострикційні актюатори, актюатори, які використовують ефект пам'яті та актюатори на основі полімерних гелів; описано принцип функціонування та практичне застосування кожного з цих типів. Реалізовано функціональну модель рухомої машини для переміщення всередині труби з використанням принципу зіткнення двох мас [3,7] . Дослідження проводилися в рамках проекту 1/7645/20 "Функціональна модель мінімеханізму для вимірювання поверхневих ефектів в тонких трубах внутрішніх стін". The aim of article is presentation of knowledge from fields of micromachines especially classification of micro actuators from viewpoint of their utilisation in the mobile machine design [6]. There are mainly electrostatic, electromagnetic, piezoelectric, giant magnetostrictive alloy actuators, actuators utilising shape memory effect, electro-rheological (ER) fluid and actuators made of polymer gels. For each principle mentioned above the basic behaviour and the practical applications as examples are shown. The functional model of the mobile machine for moving inside the tubes with small diameter utilising the principle of two masses crash [3,7] has been realised in frame of the research grant project 1/7645/20 “Functional Model of Minimechanism for Purpose of Surface Defect Sensing on Thin Tube Internal Wall”.Item Багатофункціональний рідкокристалічний сенсор(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Микитюк, З. М.; Готра, 0. 3.; Сушинський, О. Є.; Черпак, В. В.; Іваницький, В. Г.; Даланбаяр, Б.Запропоновано використання як оболонки світловоду рідкокристалічного матеріалу, чутливого до дії зовнішніх факторів. Розглянуто нову конструкцію багатофункціонального сенсора на основі планарного хвилеводу та рідкого кристала. Показано перевагу планарного хвилеводу над волоконним світловодом як елемента трансмісії світла завдяки спрощенню процесу орієнтації РК шару та створення сенсорів зовнішніх полів у приладах інтегральної техніки. The using of liquid crystal material which is sensitive to external fields influence as fibre wave guide envelope is suggested. The new construction of multifunction sensor based on planar wave guide and liquid crystal is considered. The advantage of planar wave guide using as transmission line in comparison with fiber one, that is owing to the liquid crystal orientation process simplicity and possibility of external fields sensors creation in integral optics devices are shown.Item Особливості фізико-хімічних властивостей титанового скла як матеріалу радіоелектронної апаратури(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Новікова, Л. В.; Вороненко, О. В.Вивчено структуру та властивості титанобарієвого скла двох систем: 1) без домішки міді; 2) з домішкою міді. Встановлено вплив концентрації ТіО2 у складі скла на ряд властивостей. Відзначено, що для першої системи скла характерним є разом з підвищенням коефіцієнта заломлення, підвищення густини, рефракції й мольного об'єму зниження КТЛР та теплопровідності. Для другої системи останні два параметри зростають разом з першими чотирма. A research into peculiar properties of titanum boracic glass was carried out involving its two systems: 1) without addition of copper; 2) with addition of copper. An influence of TiO2 concentrations over a variety of properties was ascertained. It was noted that the first glass system is distinguished by coefficients decrease of temperature linear expansion and heat conductivity together with the coefficients increase of refraction, density and gram-molecule volume. The final two characteristics as well asthe initial four ones expand in relation to the second system.Item Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.Розглянуто математичну модель фотореактивного ефекту у структурі метал-діелектрик-напівпровідник, яка описує залежність повного опору каналу структури від частоти сигналу і потужності оптичного випромінювання. Показано, що характер опору каналу змінюється від ємнісного до індуктивного залежно від потужності випромінювання. Експериментальні дослідження підтвердили справедливість теоретичних розрахунків у межах 5 %. The mathematical model of photoreactive effect in structure of metal-insulator- semiconductor that which describes dependence of full resistance of structure channel on signal frequency and oprical radiation power is considered in this paper. It is shown that channel resistance changes from capacitive to inductive and it depends on radiation power. Experimental tests confirm theoretical calculations in limit of 5 %.Item Елементи теорії резистивних напівпровідникових сенсорів температури(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Буджак, Я. С.; Готра, 0. 3.3а допомогою сучасної кінетичної теорії з’ясовано природу важливих параметрів напівпровідникових терморезисторів. In this paper the nature of important parameters of semiconductor thermoresistors is cleared up by modern kinetics theory.Item Титульний аркуш до Вісника «Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки» № 427(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001)Item Залежність структури мідно-калбціево-фосфатних стекол від координаційного стану іонів міді(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Романова, Д. В.Досліджено вплив електромагнітного випромінювання (частотою 1 ГГц) і температури на формування структури мідно-кальцієво-фосфатних стекол. У випадку, коли концентрація оксиду міді нижча за 10 %, кожний іон міді має тетраедричне оточення і являє собою незалежний парамагнітний центр. Збільшення концентрації СuО вище за 10 % приводить до об’єднання іонів міді в асоціації. Effect of heating and electromagnetic radiation (frequency-lGHz) on Ше state of the copper ions in the copper-calsium-phosphate glasses structure was investigated. In case when the concentration of copper oxide is lower 10 % every copper ion has tetra- hedric environment and presents in the interaction paramagnetic centers. Increasing concentration of the CuO under 10 % results copper ions combine in the association.Item Capacitance calculations for system of finite conducting paths(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Wisz, Boguslaw; Kalita, WlodzimierzНаведено результати теоретичного визначення ємності для системи з прямокутними провідними каналами в плівкових мікросхемах. Отримані результати є продовженням попередніх досліджень. У першому випадку розглядаються два паралельні провідні канали з визначеною шириною і довжиною, які розміщені на одному боці діелектричної підкладки невизначених розмірів. В іншому випадку ці канали відхиляються один від одного на кут 2а. Визначення ємності для обох випадків базується на розв’язанні тривимірної крайової задачі. Електричний потенціал подається у формі інтегралів Фур’є, які задовольняють рівняння Лапласа. Виходячи з цього, числовими методами розв’язується рівняння розподілу електричного заряду. На цій основі розраховується величина ємності. Results of theoretical capacitance determination for the rectangular conductive path systems in film microcircuit are presented in this paper. It is a continuation of earlier investigations. In the first order two parallel conductive paths with determined width and length located on the same side of dielectric microcircuit substrate of infinite dimensions is here considered. Next these paths are deflected in relation to each other at an 2a-angle The capacitance determination of both systems is based on the solution of three-dimensional boundary problem. Electrical potential is presented in form of Fourier integrals, satisfying the Laplace’s equation. Resulting from here the equation system of electric charge distribution has next been solved by application of numerical method. On this basis the capacitance value has been calculated.Item Числове моделювання росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Воронін, В. О.; Губа, С. К.; Литвін, М. О.; Рибачук, В. Г.Описуються математичні моделі росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, при яких швидкість росту визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці, дослід¬жуються газодинамічні процеси в реакторах і ріст шарів. Mathematical models of gallium arsenide crystal growth in VPE reactors are considered when the crystal growth rate is controlled by the mass-transfer of the reagents to the substrate. Gas flows is reactors and thin films growth are investigated.