Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38591

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Національного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща та Словаччини. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.

Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 151 с. : іл.

Browse

Filters

20012

Settings

Author: search.filters.author.Смеркло, Л. М.

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Високоефективні резонатори на поверхневих акустичних хвилях
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Смеркло, Л. М.; Шкоропад, В. П.
    Розглянуто питання розробки високоефективних резонаторів на ПАХ. Наведено методику їх розрахунку. Досліджено залежність добротності від кількості елементів решітки і від питомого опору плівки, що формує топологію рисунка резонаторів. Визначено похибку встановлення центральної частоти. The design of high-efficient resonators on surface acoustik waves is considered. The method of resonators calculations is presented. The dependence of Q-factor on grate element amount and on specific resistance of film which forms resonator topological image is investigated. The error of central freguency set is determined.
  • Thumbnail Image
    Item
    Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.
    Показано вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Досліджено гетерування дефектів за допомогою іонної імплантації вольфраму. Запропоновано засоби зменшення дефектоутворення при проведенні технологічних операцій. The influence of imperfections and dislocation on the electrical parameters of power DMOS transistors is presented in this paper. The imperfection gettering by W ions implantation is investigated. Methods for reduction of imperfection at technological process are proposed.