Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45251

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У Віснику опубліковано результата науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів інституту телекомунікації, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка», науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів та провідних вчених Республіки Польща. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелекгроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2002. – № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 80 с. : іл.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

Зміст


1
3
7
11
15
19
24
28
37
42
47
53
59
63
71
75
79

Content


1
3
7
11
15
19
24
28
37
42
47
53
59
63
71
75
79

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Ефекти поляризації у високотемпературних надпровідниках
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Добринецький, С. С.; Центр інженерних та науково-технічних послуг
    Показано, що для високотемпературних надпровідників характерний свій тип ізоепінової (зарядової) симетрії для іонів кисню з різною валентністю, аналогічною до ізоепінової симетрії для нейтрона і протона в ядерній фізиці. Існування такої симетрії приводить до виникнення поляризації поблизу переходу високотемпературного надпровідника в надпровідний стан. Поява поляризації в купратах призводить до зміни характеру коливань атомів ґратки і виникнення надпровідності.
  • Thumbnail Image
    Item
    Контроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Прокопчук, О. Л.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Методом рентгенівського мікроаналізу та низькотемпературної екситонної спектроскопії відбиття досліджено взаємодію імпульсного випромінювання ІЧ лазера з кристалом p-CdTe, Виявлено сублімацію атомів кадмію з поверхні та певну періодичність концентраційних розподілів атомів Cd і Те в опроміненій ділянці.