Електроніка. – 2002. – №459

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42669

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

Вісник присвячений 40-річному ювілею кафедри напівпровідникової електроніки Націо­нального університету “Львівська політехніка”. Опубліковані оглядові роботи, які відображають основні напрямки наукових досліджень кафедри-ювіляра та досягнуті у цих напрямах результатах. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей. Тематика ВІСНИКА Національного університету “Львівська політехніка” “ЕЛЕКТРОНІКА” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “ЕЛЕКТРОНІКА” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені цій тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких йнших навчальних чи наукових закладів. Роботи друкуються українською мовою.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2002. – № 459 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 208 с. : іл.

Browse

Filters

20022

Settings

Author: search.filters.author.Матковський, А. О.End date: 2002

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках. (Короткий огляд)
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Шпотюк, О. Й.; Балицька, В. О.; Ваків, М. М.; Головчак, Р. Я.; Кавецький, Т. С.; Ковальський, А. П.; Матковський, А. О.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Представлено результати дослідження впливу високоенергетичних іонізуючих випромінювань на фізичні властивості халькогенідних склоподібних напівпровідників. Зроблено короткий історичний огляд наукових шкіл з проблеми. Детально проаналізовано радіаційно-індуковані ефекти, спричинені дією у-квантів. Запропоновано мікроструктурні, топологічні та математичні підходи для пояснення механізмів виникнення та релаксації вказаних явищ. Investigations of the effect of high-energetic ionizing irradiations on physical properties of chalcogenide vitreous semiconductors are presented. Short historical review of scientific teams, working in this field, is made. Radiation-induced effects caused by the influence of у-quanta are analyzed in details. Microstructural, topological and mathematical approaches to the explanation of the mechanisms of these phenomena appearance and relaxation are proposed.
  • Thumbnail Image
    Item
    Кристалічна та доменна структура рідкісноземельних галатів і алюмінатів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Василечко, Л. О.; Матковський, А. О.; Савицький, Д. І.; Берковський, М.; Бісмайєр, У.; Сольський, І. М.; Вальрафен, Ф.; Національний університет “Львівська політехніка”; Інститут Фізики Польської Академії Наук; Гамбурзький Університет; НВП “Карат”; Боннський Університет
    Досліджено кристалічні структури та термічне розширення рідкісно-земельних галатів і алюмінатів та твердих розчинів на їх основі в інтервалі температур 10.. .1300 К. Встановлено загальні закономірності двійникування в кристалах зі структурою типу GdFeO3. Результати можуть бути використані для пошуку нових підкладкових матеріалів для ВТНП плівок та плівок манганітів з магніто- резистивним ефектом. The crystal structures and thermal expansion of rare-earth gallates and aluminates and their solid solutions were investigated in the temperature range 10 K - 1300 K. General rules of twinning were established for the crystal with GdFeO3 type structure. The results can be applied for search of new substrate materials for HTSC films and manganite films with colossal magnetoresistance.