Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Thumbnail Image
    Item
    TSL properties of A2SiO5 and A2SiO5:Ce (A=Y, Lu) single rystals and single crystalline films
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Bilski, P.; Twardak, A.; Zorenko, Y.; Zorenko, T.; Gorbenko, V.; Mandowska, E.; Mandowski, A.; Sidletskiy, O.
    In this work the comparative analysis of the thermostimulated luminescence (TSL) properties of various silicate crystals (undoped and Ce-doped Y2SiO5 (YSO) and Lu2SiO5 (LSO) single crystals (SC) and single crystalline films (SCF)) under excitation by alpha and beta particles, gamma quanta and daily light has been performed.
  • Thumbnail Image
    Item
    LPE growth and luminescent properties of ce doped A2SiO5:Ce (A = Lu, Gd, Y) Single crystalline films
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Zorenko, Y.; Gorbenko, V.; Savchyn, V.; Voznyak, T.; Grinyov, B.; Sidletskiy, O.; Fedorov, A.; Gerasymov, I.; Jary, V.; Mares, J.; Beitlerova, A.; Nikl, M.
    The report is dedicated to development of scintillators based on the single crystalline films of Lu2SiO5 (LSO), (LuxGd1-x)2SiO5 (LGSO) and Y2SiO5 (YSO) orthosilicates grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) methods. We also compare the luminescent and scintillation properties of Ce doped LSO and YSO SCFs with the properties of their single crystal counterparts, growth by Czochralski method.
  • Thumbnail Image
    Item
    LPE growth and luminescent properties of Ce doped A2SiO5:Ce (A = Lu, Gd, Y) single crystalline films
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Zorenko, Y.; Gorbenko, V.; Savchyn, V.; Voznyak, T.; Grinyov, B.; Sidletskiy, O.; Fedorov, A.; Gerasymov, I.; Jary, V.; Mares, J.; Beitlerova, A.; Nikl, M.
    The report is dedicated to development of scintillators based on the single crystalline films of Lu2SiO5 (LSO), (LuxGd1-x)2SiO5 (LGSO) and Y2SiO5 (YSO) orthosilicates grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) methods. We also compare the luminescent and scintillation properties of Ce doped LSO and YSO SCFs with the properties of their single crystal counterparts, growth by Czochralski method.
  • Thumbnail Image
    Item
    TSL properties of A2SiO5 and A2SiO5:Ce (A=Y, Lu) single crystals and single crystalline films
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Bilski, P.; Twardak, A.; Zorenko, Y.; Gorbenko, V.; Mandowska, E.; Mandowski, A.; Sidletskiy, O.; Zorenko, T.
    In this work the comparative analysis of the thermostimulated luminescence (TSL) properties of various silicate crystals (undoped and Ce-doped Y2SiO5 (YSO) and Lu2SiO5 (LSO) single crystals (SC) and single crystalline films (SCF)) under excitation by alpha and beta particles, gamma quanta and daily light has been performed.