Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Author: search.filters.author.Paprocki, K.Subject: search.filters.subject.zinc oxide

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Raman and impedance spectroscopy of blend polycarbonate and inc oxide layers grown by sol−gel method
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Popielarski, P.; Paprocki, K.; Bała, W.; Banaszak-Piechowska, A.; Walczyk, K.; Fabisia, K.; Szybowicz, M.
    Confocal Raman spectroscopy has been applied to investigate blend polycarbonate and ZnO thin layers with different thicknesses and different content of ZnO. The admittance spectroscopy has been applied to correlation of optical and electrical properties of these layers used in electroluminescence diodes and photovoltaic cells. The thermally stimulated current (TSC) and I-V (DC and AC) characteristics have been applied to the study of the deep levels in ZnO thin films grown by sol−gel method onto Si substrates. The surface morphology of the samples were investigated by scanning microscopy and X ray diffraction.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical and electrical properties of ZnO thin films grown by sol-gel method
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Bała, W.; Zorenko, Yu.; Savchyn, V; Voznyak, T.; Paprocki, K.; Popielarski, P.; Szybowicz, M.
    The ZnO thin films have been produced on p-type Si by the dip-coating method and after deposition were heated at different temperatures in the range from 650K to 850K. The photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) measurements were carried out at temperature range 12K-350K. I-V, C-V, Q-DLTS measurements were performed on the Al/ZnO/Si/Al structures at different temperatures. The electrical response of grains, grain boundaries, and contacts of the ZnO film was obtained.