Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Filters

20124

Settings

Has files: YesSubject: search.filters.subject.zinc oxide

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Thumbnail Image
    Item
    Structure and gas sensitivity of the ZnO sensor of ethanol
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Tsizh, B.; Aksimentyeva, O.; Lazorenko, V.; Chokhan, M.
    We studied the influence of substrate nature and type of doping on the structure and sensor properties of thin films of ZnO, obtained on the surface of glass, quartz, sital, leuco-sapphire and oxidized silicon by thermo vacuum deposition. With X-ray investigation it shown that the obtained films consist of nanocrystalline zinc oxide, regardless of the nature of the surface, and the best structural perfection characterized ZnO film on the surface of the quartz and glass. The sensitive properties of zinc oxide films to ethanol vapors greatly improved by introducing of doping impurities (Al or In), a highest sensitivity to ethanol was detected for the films of ZnO − Al on the quartz substrate. The proposed sensor can be used to monitor gas environments in the food industry and in the evaluation of alcohol in humans breathing.
  • Thumbnail Image
    Item
    Structural and magnetic properties of sintered materials on the basis of zinc oxide
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Kurilo, I.; Lopatynskyi, I.; Rudyi, I.; Fruginskyi, M.; Vir, I.; Pavlovskyi, Yu.; Tsmots, V.; Hadzaman, I.; Havrylziv, A.
    Structural and magnetic properties of ceramics Zn1-xCoxO and Zn1-xCrxO are studied. Average sizes of grains are determined by scanning electron microscopy. The magnetic field dependences of magnetic susceptibility are investigated by Faraday method. The relevant theoretical models are chosen.
  • Thumbnail Image
    Item
    Raman and impedance spectroscopy of blend polycarbonate and inc oxide layers grown by sol−gel method
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Popielarski, P.; Paprocki, K.; Bała, W.; Banaszak-Piechowska, A.; Walczyk, K.; Fabisia, K.; Szybowicz, M.
    Confocal Raman spectroscopy has been applied to investigate blend polycarbonate and ZnO thin layers with different thicknesses and different content of ZnO. The admittance spectroscopy has been applied to correlation of optical and electrical properties of these layers used in electroluminescence diodes and photovoltaic cells. The thermally stimulated current (TSC) and I-V (DC and AC) characteristics have been applied to the study of the deep levels in ZnO thin films grown by sol−gel method onto Si substrates. The surface morphology of the samples were investigated by scanning microscopy and X ray diffraction.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical and electrical properties of ZnO thin films grown by sol-gel method
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Bała, W.; Zorenko, Yu.; Savchyn, V; Voznyak, T.; Paprocki, K.; Popielarski, P.; Szybowicz, M.
    The ZnO thin films have been produced on p-type Si by the dip-coating method and after deposition were heated at different temperatures in the range from 650K to 850K. The photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) measurements were carried out at temperature range 12K-350K. I-V, C-V, Q-DLTS measurements were performed on the Al/ZnO/Si/Al structures at different temperatures. The electrical response of grains, grain boundaries, and contacts of the ZnO film was obtained.