Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (OMEE-2012). – 2012 р.

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/14991

У збірнику подані розширені тези доповідей Міжнародної наукової конференції "Оксидні матеріали електронної техніки - отримання, властивості, застосування" (OMEE-2012). Конференція присвячена актуальним проблемам технології отримання та дослідження структурних , оптичних, магнітних та електрофізичних властивостей оксидних матеріалів, а також можливості їх практичного застосування у пристроях електронної техніки та розроблення нових функціональних пристроїв на їх основі. Для наковців та аспірантів, які працюють в галузі фізики оксидних матеріалів.

Оксидні матеріали електронної техніки – отримання, властивості, застосування (ОМЕЕ – 2012) : збірник матеріалів міжнародної наукової конференції, 3-7 вересня 2012 року, Львів, Україна / Міністерство освіти, науки, молоді та спорту України, Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – 305 c.

Browse

Subject: search.filters.subject.thin films

Search Results

Now showing 1 - 4 of 4
  • Thumbnail Image
    Item
    Thickness-dependent magnetotransport properties of La0.6Sr0.2Mn1.2O3 films on SrTiO3 and LaAlO3 substrates
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Tovstolytkin, A.; Polek, T.; Matviyenko, A.; Zakharenko, M.; Semen’ko, M.; Pashchenko, A.
    Electric and magnetoresistive properties of La0.6Sr0.2Mn1.2O3 films deposited on SrTiO3 (001) and LaAlO3 (001) single crystalline substrates by magnetron sputtering have been studied. Characteristic features of the evolution of resistivity, magnetoresistance and Curie temperature upon the decrease of film thickness from 500 to 12.5 nm are specified. A key role of a thin strained layer adjacent to the substrate is demonstrated. The critical thicknesses of the strained layer are calculated for the films deposited on different substrates.
  • Thumbnail Image
    Item
    Optical and electrical properties of ZnO thin films grown by sol-gel method
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Bała, W.; Zorenko, Yu.; Savchyn, V; Voznyak, T.; Paprocki, K.; Popielarski, P.; Szybowicz, M.
    The ZnO thin films have been produced on p-type Si by the dip-coating method and after deposition were heated at different temperatures in the range from 650K to 850K. The photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) measurements were carried out at temperature range 12K-350K. I-V, C-V, Q-DLTS measurements were performed on the Al/ZnO/Si/Al structures at different temperatures. The electrical response of grains, grain boundaries, and contacts of the ZnO film was obtained.
  • Thumbnail Image
    Item
    Admittance and photoadmittance spectroscopy of zinc oxide layers grown on p-Si substrates by sol−gel and spin coating method
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Popielarski, P.; Bała, W.; Paprocki, K.
    In this work, the dielectric response of ZnO thin films has been studied over a temperature range of 200 K - 550 K. The dielectric response of polycrystalline ZnO thin films in the frequency domain was measured from 0.1 Hz - to 5 MHz frequencies with a small AC signal amplitude at different temperatures. Influence of the light on conductivity has been also investigated. A universal power law relation was brought into picture to explain the frequency dependence of AC conductivity. The temperature dependence of AC conductivity was analyzed in detail. The activation energy obtained from the temperature dependence of AC conductivity was attributed to the shallow trapcontrolled space charge conduction in the bulk of the sample.
  • Thumbnail Image
    Item
    Modification of ZnO nanorod arrays with layered precursor of TiO2
    (Видавництво Львівської політехніки, 2012) Bobowska, I.; Opasińska, A.; Wypych, A.; Wojciechowski, P.
    This work presents investigations conducted in the field of preparation of a hybrid nanocomposite composed of the vertically aligned ZnO nanorod arrays coated with the layered precursor of TiO2 (LPT). Effects of the elevated temperature on the structure and morphology evolution of the ZnO nanorod array and their hybrid nanocomposites are described.