Mathematical Modeling And Computing. – 2020. – Vol. 7, No. 1

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/57502

Науковий журнал

Засновник і видавець Національний університет «Львівська політехніка», Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики імені Я. С. Підстригача НАН України. Виходить двічі на рік з 2014 року.

Mathematical Modeling and Сomputing : [the scientific-technical journal] / Lviv Politechnic National University, Centre of mathematical Modeling of IAPMM hamed after Ya. S. Pidstryhach Ukrainian National Academy of Sciences ; editor-in-chief Yuriy Bobalo. – Lviv, 2020. – Volume 7, number 1. – 209 p. : il.

Зміст


1
14
22
29
39
48
64
79
88
96
104
112
125
140
146
158
169
179
186
196
206

Content (Vol. 7, No 1)


1
14
22
29
39
48
64
79
88
96
104
112
125
140
146
158
169
179
186
196
206

Browse

Search Results

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Reconstruction of the depletion layer in MOSFET by genetic algorithms
    (Видавництво Львівської політехніки, 2020-01-01) Юнес, Ель Язиді; Абделлатиф, Еллабіб; Youness, El Yazidi; Abdellatif, Ellabib; Університет Кадi Айяд, Лабораторія прикладної математики та обчислювальної техніки,Факультет науки i технiки; Laboratory of Applied Mathematics and Computer Science, Faculty of Science and Technology, Cady Ayyad University
    У цiй роботi розглядається напiвпровiдниковий пристрiй на основi МПД-структури. Густину носiїв заряду в МПД-структурi змодельовано рiвнянням дрейфової дифузiї. Для того, щоб отримати просте рiвняння Лапласа або Пуассона, використано формули густини заряду за умов рiвноваги. Означено функцiонал витрат для формулювання задачi оптимiзацiї форми. Доведено iснування оптимального розв’язку. Для розв’язання задачi оптимiзацiї розроблено числовий пiдхiд на основi методу скiнченних елементiв у поєднаннi з генетичним алгоритмом. Для пiдтвердження обґрунтованостi запропонованого пiдходу наведено декiлька чисельних прикладiв