Mathematical Modeling And Computing
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/25918
Browse
Item Reconstruction of the depletion layer in MOSFET by genetic algorithms(Видавництво Львівської політехніки, 2020-01-01) Юнес, Ель Язиді; Абделлатиф, Еллабіб; Youness, El Yazidi; Abdellatif, Ellabib; Університет Кадi Айяд, Лабораторія прикладної математики та обчислювальної техніки,Факультет науки i технiки; Laboratory of Applied Mathematics and Computer Science, Faculty of Science and Technology, Cady Ayyad UniversityУ цiй роботi розглядається напiвпровiдниковий пристрiй на основi МПД-структури. Густину носiїв заряду в МПД-структурi змодельовано рiвнянням дрейфової дифузiї. Для того, щоб отримати просте рiвняння Лапласа або Пуассона, використано формули густини заряду за умов рiвноваги. Означено функцiонал витрат для формулювання задачi оптимiзацiї форми. Доведено iснування оптимального розв’язку. Для розв’язання задачi оптимiзацiї розроблено числовий пiдхiд на основi методу скiнченних елементiв у поєднаннi з генетичним алгоритмом. Для пiдтвердження обґрунтованостi запропонованого пiдходу наведено декiлька чисельних прикладiв