Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8439
Browse
Item Контроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Прокопчук, О. Л.; Національний університет “Львівська політехніка”Методом рентгенівського мікроаналізу та низькотемпературної екситонної спектроскопії відбиття досліджено взаємодію імпульсного випромінювання ІЧ лазера з кристалом p-CdTe, Виявлено сублімацію атомів кадмію з поверхні та певну періодичність концентраційних розподілів атомів Cd і Те в опроміненій ділянці.Item Структура та деякі електрофізичні властивості аморфних і кристалічних плівок селеніду ртуті(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Андрейко, А. М.; Білинський, Ю. М.; Гончар, Ф. М.; Національний університет “Львівська політехніка”Було винайдено аморфні та кристалічні плівки HgSe завтовшки 1000 А. У кристалічному зразку визначити ширину забороненої зони 0.2 eV, концентрацію і рухливість носіїв. В аморфних зразках визначити ширину забороненої зони 1 ev. При температурі рідкого азоту зразки володіють лише р-провідністю, тоді як при температурах, вищих від температури рідкого азоту – лише n-провідністю. Структуру аморфного HgSe вивчали електронографічно, і було показано, що координаційне число не змінюється з переходом з аморфного в кристалічний стан. В аморфних зразках було також визначено середньоквадратичне зміщення атомів.