Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8439
Browse
6 results
Search Results
Item Комбінований спосіб виготовлення товстоплівкових НВЧ плат(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Смеркло, Л. М.; Дячок, Д. Т.; Кучмій, Г. Л.; Львівський науково-дослідний радіотехнічний інститут; Національний університет “Львівська політехніка”Розглянуто спосіб виготовлення товстоплівкових плат на основі металоорганічної пасти 4783 з гальванічно нарощеним поверх впаленої пасти шаром міді для мікроелектронних пристроїв НВЧ діапазону. Запропоновано склад селективного травника срібного шару із пасти 4783.Item Високоефективні резонатори на поверхневих акустичних хвилях(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Смеркло, Л. М.; Шкоропад, В. П.Розглянуто питання розробки високоефективних резонаторів на ПАХ. Наведено методику їх розрахунку. Досліджено залежність добротності від кількості елементів решітки і від питомого опору плівки, що формує топологію рисунка резонаторів. Визначено похибку встановлення центральної частоти. The design of high-efficient resonators on surface acoustik waves is considered. The method of resonators calculations is presented. The dependence of Q-factor on grate element amount and on specific resistance of film which forms resonator topological image is investigated. The error of central freguency set is determined.Item Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Невзоров, В. В.; Смеркло, Л. М.Показано вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Досліджено гетерування дефектів за допомогою іонної імплантації вольфраму. Запропоновано засоби зменшення дефектоутворення при проведенні технологічних операцій. The influence of imperfections and dislocation on the electrical parameters of power DMOS transistors is presented in this paper. The imperfection gettering by W ions implantation is investigated. Methods for reduction of imperfection at technological process are proposed.Item Технологія виготовлення прецизійних діафрагм хвилевідних НВЧ-пристроїв міліметрового діапазону(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.; Смеркло, Л. М.Сучасні селективні пристрої, які використовують в мікроелектронних приладах НВЧ-діапазону, вимагають високої точності та малих втрат. У роботі наведено результати розроблення технології виготовлення прецизійних діафрагм на основі міді, яку можна використати для виготовлення мікроелектронних НВЧ-пристроїв. Modern selective devices, that are widely used in microelectronic equipment of UHF range, require high accuracy and low losses. The results of elaboration of manufacturing technology for precise diaphragms based on copper, which can be used for production of UHF devices, are considered at this paper.Item Взаємозв’язок конструктивних параметрів і електричного опору мікроконтактного з’єднання в ІС(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Дячок, Д. Т.; Смеркло, Л. М.; Невзоров, В. В.Наведено математичний аналіз залежності електричного опору мікроконтактного з’єднання (МКЗ) від його геометричних розмірів і перехідного опору. Розроблено програми розрахунку. Встановлено, що у запропонованій моделі ширина і товщина плівкового провідника здебільшого не істотно, а зміна діаметра дроту – істотно впливають на опір МКЗ. Для малих розмірів МКЗ його опір визначається, переважно, перехідним контактним опором. The mathematical equations for analysis of dependence of electric resistance of microcontact connection (MCC) on its dimension and intermediate resistance are considered. The computation software is designed. It is established that in proposed model the width and thickness of film conductor layer do not influence on MCC resistance and change of wire diameter impacts greatly on MCC resistance. For small MCC dimension its resistance is determined by intermediate contact resistance.Item Спосіб вимірювання опору контактного з'єднання мікродроту і плівкового провідника(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Дячок, Д. Т.; Павлиш, В. А.; Смеркло, Л. М.Розглянуто питання вимірювання електричного опору мікроконтактного з'єднання дроту і плівкового провідника в інтегральних мікросхемах і мікроскла- даннях. Запропоновано спосіб, який підвищує точність вимірювання. The problems of measurement of electrical resistance of mikrocontact connection of wire and film conductor in integrated microcircuits and microassemblies are considered. The new method which improves measuring precision is proposed.