Вимірювальна техніка та метрологія
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2123
Browse
7 results
Search Results
Item Аналітичний огляд методів та засобів вимірювання температури об’єктів малих розмірів(Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Кривенчук, Юрій; Кривенчук, Уляна; Kryvenchuk, Yurii; Kryvenchuk, Uliana; Національний університет “Львівська політехніка”; Державне підприємство “Науково-дослідний інститут метрології вимірювальних і управляючих систем”Проаналізовано основні переваги та недоліки контактних та безконтактних методів і засобів вимірювання температури та можливість їх застосування для вимірювання температури мікро- та нанооб’єктів. Враховуючи результати виконаного аналізу, переваги та недоліки розглянутих методів, для вимірювання температури об’єктів малих розмірів оптимальним є застосування методу комбінаційного розсіювання світла. Показано доцільність використання методу за зсувом частоти комбінаційного розсіювання світла для побудови засобу вимірювання температури нанооб’єктів, що забезпечує зменшення часу вимірювання та методичної похибки.Item Експериментальні дослідження залежності вимірюваної температури від частоти антистоксової компоненти спектра комбінаційного розсіювання світла для AL2O3(Видавництво Львівської політехніки, 2016) Кривенчук, Юрій; Микитин, Ігор; Сегеда, Олег; Національний університет “Львівська політехніка”Al2O3 – наноструктурований дрібнодисперсний порошок, який часто використовується як сорбент для очищення води, в матеріалознавстві, для виготовлення конденсаторів. Подано результати експериментальних досліджень спектрів комбінаційного розсіювання світла для Al2O3 у температурному діапазоні від 18 до 70 °С. Знайдено еквівалентну частоту антистоксової компоненти спектра комбінаційного розсіювання світла методом центра мас, також отримано аналітичні залежності еквівалентної частоти антистоксової компоненти спектра комбінаційного розсіювання світла від температури. Досліджено залежність похибки апроксимації від кількості коефіцієнтів апроксимаційної кривої. Обладнання для експериментів: лазер ν = 632,9 нм, спектроаналізатор MS 3501i, оптична схема з використанням вузькосмугового фільтра та призми. Дослідження проводили за нормальних умов. Представлены результаты экспериментальных исследований спектров комбинационного рассеяния света для Al2O3 в температурном диапазоне от 18 до 70 °С. Найдено эквивалентную частоту антистоксовой компоненты спектра комбинационного рассеяния света методом центра масс, также получены аналитические зависимости эквивалентной частоты антистоксовой компоненты спектра комбинационного рассеяния света от температуры. Исследованы зависимость погрешности аппроксимации от количества коэффициентов аппроксимационной кривой. Оборудование для экспериментов: лазер ν = 632,9 нм, спектроанализатор MS 3501i, оптическая схема с использованием узкополосного фильтра и призмы. Исследования проводились при нормальных условиях. On the basis of Raman known at present are two ways to measure temperature. The first and most more common method of measuring temperature by Raman intensity is dependent stokes and antistokes Raman component. This method is relatively simple to implement, since change with temperature integrated area antistokes and stokes component. This method of temperature measurement by Raman has good sensitivity and accuracy, but has several significant drawbacks. The main drawback is a methodological error that occurs as a result of determining the area of integrated antistokes and Stokes components. Spectrophotometer to measure consistently first Stokes then antistokes component of Raman spectroscopy, the measurement time of stokes components of the object and is heated by laser heating antistokes components that it leads to error. Another way is to measure the frequency shift Raman. To measure the temperature shift frequency Raman enough to determine just antistokes component Raman spectroscopy. To measure the temperature shift frequency Raman frequency is not appropriate to use a spectrophotometer and spectrum analyser. The peculiarity of the spectrum analyser is that it measures only antistokes component, and the full range of a whole, not just a stepping stone that can reduce the methodological error. Also unconditional significant advantage of this method within the temperature measurement by Raman is speed. By comparison when measuring the temperature integrated area ratio of the maximum speed is 13 seconds, and the Raman shift frequency of 1 second. By reducing the measurement time is reduced further methodological error caused by heating of the object studied laser. Therefore, based on this method conducted research described in the article. The results of experimental studies Raman spectroscopy for Al2O3 in the temperature range of 18 to 70 °C. Each point temperature for 10 implementations derived components range antistokes Raman method of centre of mass calculated value equivalent frequency components antistokes Raman spectroscopy, and the average value of the equivalent frequency components antistokes range and uncertainty determine an equivalent frequency components antistokes. Analytical dependences equivalent frequency components antistokes Raman spectrum of temperature. The dependence of error of approximation of the number of coefficients approximating curve for each of the objects, and certainly the best number of factors. Equipment using experiments were conducted: laser ν = 632,9 nm spectrum analyser MS 3501i, optical circuit using a narrow band filter and prism, studies were conducted under normal conditions.Item Дослідження впливу нетемпературних чинників на вимірювання температури об’єкта методом комбінаційного розсіювання світла(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Кривенчук, Юрій; Сегеда, Олег; Микитин, Ігор; Ковальчук, ДмитроДосліджено залежність похибки вимірювання температури методом комбінаційного розсіювання світла від відстані між досліджуваним об’єктом та приймачем відбитого випромінювання, а також від інтенсивності фонового випромінювання. Проведено исследование зависимости погрешности измерения температуры методом комбинационного рассеяния света от расстояния между исследуемым объектом и приемником отраженного излучения, а также от интенсивности фонового излучения. In the article research of temperature dependence error of measurement by Raman on the distance between the investigated object and the receiver of the reflected radiation, and the intensity of the background radiation.Item Дослідження впливу неідеальності геометричної форми зразка на результат вимірювання температури методом комбінаційного розсіювання світла(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Сегеда, Олег; Кривенчук, ЮрійВплив на вимірювання спектра комбінаційного розсіювання світла нетемпературних чинників – клиноподібності пластини та значення кута між лазером та досліджуваним об’єктом як результату зміни форми поперечного перерізу відбитого снопа світла на еліптичну. Воздействие на измерение спектра комбинационного рассеяния света нетемпературных факторов – клиновидности пластины и значения угла между лазером и исследуемым объектом как результата изменения формы поперечного сечения отраженного снопа света на эллиптическую. Impact on measurement of Raman spectroscopy are not factors such as temperature fid plate and the angle between the laser and the object, as a result of changing the shape of the cross section of the reflected light on the elliptic sheaf.Item Контроль температури в установках реактивного іонно-плазмового напилення з використанням термометра випромінення(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Гоц, Наталія; Кривенчук, ЮрійПроцес виготовлення елементів мікроелектроніки на основі процесу іонно-плазмового напилення потребує неперервного контролю температури кремнієвої підкладки. Запропоновано використовувати для цього термометр випромінення. Розглянуто особливості вимірювання температури підкладки термометром випромінення у процесі іонно-плазмового напилення. Процесс создания элементов микроэлектроники на основе процесса ионно-плазменного напыления требует непрерывного контроля температуры кремниевой подкладки. Предложено использовать для этого термометра излучения. Рассмотрены особенности измерения температуры подкладки терметром излучения в процессе ионно-плазменного напыления. The process of creation of elements of microelectronics on the base of process of ion – plasma spraying process needs continuous control of lining temperature. In the article the use is offered for this thermometer of radiation. The features of measuring of temperature of lining of radiation thermometer are considered in the process of spraying process.Item Вимірювання електричного опору мікророзмірних об’єктів(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Кривенчук, Юрій; Микитин, Ігор; Сегеда, ОлегЗдійснено аналітичний огляд методів вимірювання електричного опору. На основі проведеного аналізу зроблено висновок про доцільність застосування методу безконтактного вимірювання електричного опору мікрооб’єктів. Проведен аналитический обзор методов измерения электрического сопротивления. На основе проведенного анализа сделан вывод о целесообразности применения метода бесконтактного измерения электрического сопротивления микрообъектов. In the article the review of the methods of measurement of electrical resistance. Based on the analysis concluded the feasibility of applying the method of contactless measurement of electrical resistance of micro.Item Метод комбінаційного розсіювання світла в термометрії поверхні мікрооб’єктів(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Сегеда, Олег; Яцишин, Святослав; Кривенчук, ЮрійЗдійснено аналіз вимірювання температури методом комбінаційного розсіювання світла та проведено оцінювання метрологічних характеристик методу. Об’єктом дослідження вибрано мікроконтролер. Осуществлен анализ измерения температуры методом комбинационного рассеяния света, проведено оценивание метрологических характеристик метода. Объектом исследования выбрано микроконтроллер. Errors of the temperature transducer constructed on the basis of the Raman effect are estimated applying the analysis for metrological characteristic divergence. The object of study was chosen microcontroller.