Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
3 results
Search Results
Item Особливості магнітоопору мікрокристалів InSb за кріогенних температур(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Дружинін, А. О.; Большаковa, І. А.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Лях-Кагуй, Н. С.Проведено дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі низьких температур 4,2 – 77 К в полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено наявність осциляцій Шубнікова-де-Гааза як в поперечному, так і в поздовжньому магнітоопорі, визначено період осциляцій 0,1 Тл-1, ефективну циклотронну масу електронів mс » 0,14mо, концентрацію носіїв заряду 2,3´1017 см-3, фактор g* » 30 та температуру Дінгла ТD= 14,5 К. The study of the magnetoresistance in InSb whiskers with impurity concentration in the vicinity to the metal-insulator transition at low temperature range 4.2 – 77 K in fields with induction up to 14 T was conducted. The presence of Shubnikov-de Haas oscillations in both transverse and longitudinal magnetoresistance was observed. The following parameters of InSb whiskers were defined: period of oscillations 0,1 Т-1, cyclotron effective mass of electrons mс » 0,14mо, concentration of charge carriers 2,3´1017 сm-3, g-factor g* » 30 and Dingle temperature ТD = 14.5K.Item Mагнетофононний резонанс у ниткоподібних кристалах германію(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях-Кагуй, Н. С.; Вуйцик, А. М.Досліджено магнетофононні осциляції магнетоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах Ge n-типу провідності з концентрацією домішки, що відповідає переходу метал-діелектрик, в інтервалі температур 4,2–70 К у неперервних та імпульсних магнітних полях з індукцією 14 Тл та 35 Тл, відповідно. Вивчено вплив одновісної деформації стиску та розтягу на магнетофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнетоопору, визначено міждолинні переходи, оцінено енергії фононів та ефективні маси важких та легких електронів в НК n-Ge.Item Вплив електронного опромінення на ниткоподібні кристали кремнію і твердого розчину Si-Ge(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Мар’ямова, І. Й.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кутраков, О. П.; Когут, І. Т.; Лях-Кагуй, Н. С.Досліджено вплив електронного опромінення на низькотемпературну провідність і магнетоопір ниткоподібних кристалів (НК) кремнію і Si1-xGex (х=0,03) р-типу з концентрацією бору поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД). Спостерігається кореляція між впливом електронного опромінення на опір і магнетоопір кристалів за кріогенних температур. Виконані вимірювання свідчать про радіаційну стійкість досліджених НК Si та Si1-xGex до дії опромінення високоенергетичними електронами з флюенсом Ф£1´1017ел/см2. Influence of electron irradiation on low temperature conductivity and magnetoresistance of р-type silicon and Si1-xGex (х=0,03) whiskers with boron concentration in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) have been studied. Correlation between influence of electron irradiation on crystal resistance and magnetoresistance at cryogenic temperatures was observed. These studies show the stability of investigated Si and Si1-xGex whiskers to irradiation by high energy electrons with fluencies Ф£1´1017еl/cm2.