Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
2 results
Search Results
Item Mагнетофононний резонанс у ниткоподібних кристалах германію(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях-Кагуй, Н. С.; Вуйцик, А. М.Досліджено магнетофононні осциляції магнетоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах Ge n-типу провідності з концентрацією домішки, що відповідає переходу метал-діелектрик, в інтервалі температур 4,2–70 К у неперервних та імпульсних магнітних полях з індукцією 14 Тл та 35 Тл, відповідно. Вивчено вплив одновісної деформації стиску та розтягу на магнетофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнетоопору, визначено міждолинні переходи, оцінено енергії фононів та ефективні маси важких та легких електронів в НК n-Ge.Item Термодинамічний аналіз газової фази системи Ge-I2(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Штабалюк, А. П.; Шуригін, Ф. М.Подано модель газової фази для вирощування мікрокристалів германію, легованих акцепторною домішкою індію. Проведено термодинамічний аналіз складу газової фази хімічних сполук, що утворюються у результаті взаємодії напівпровідникових матеріалів Ge та In з транспортним реагентом I2. Оцінена ефективність перебігу хімічних реакцій у системі за заданих умов та визначені оптимальні температури вирощування мікрокристалів. The model of gas phase for undoped germanium microcrystals doped with indium acceptor impurity was presented. Thermodynamic analysis of chemical compounds’ gas phase formed as a result of the interaction of semiconductor materials Ge and In with the transport reagent I2 was accomplished. The effectiveness of chemical reactions running in the system under given conditions was estimated and the optimal temperatures for microcrystals growing were determined.