Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
2 results
Search Results
Item Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.Наведена технологія отримання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дає змогу контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель, яка пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара-рідина-кристал і конкуруючий ріст нанодротин. The technology for obtaining GaAs microwhiskers in flow reactor is presented. The technology allows controlling whiskers diameters in the range from tens of nanometers to tens of microns. The model explaining the basic stages of material deposition from vapour phase is suggested. The basic principles of the model are the vapour-liquid-solid mechanism and competitive nanowires growth.Item Mагнетофононний резонанс у ниткоподібних кристалах германію(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Лях-Кагуй, Н. С.; Вуйцик, А. М.Досліджено магнетофононні осциляції магнетоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах Ge n-типу провідності з концентрацією домішки, що відповідає переходу метал-діелектрик, в інтервалі температур 4,2–70 К у неперервних та імпульсних магнітних полях з індукцією 14 Тл та 35 Тл, відповідно. Вивчено вплив одновісної деформації стиску та розтягу на магнетофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнетоопору, визначено міждолинні переходи, оцінено енергії фононів та ефективні маси важких та легких електронів в НК n-Ge.