Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
9 results
Search Results
Item Застосування феритів в багатофункціональних сенсорах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Ющук, С. І.; Юр’єв, С. О.; Ракобовчук, Л. М.; Варшава, С. С.; Національний унверситет “Львівська політехніка”Створено і досліджено багатофункціональні сенсори для вимірювання індукції магнітного поля, температури і потужності НВЧ-випромінювання. Застосування як чутливих елементів Mn-Zn- і Li-Tï- феритів разом з напівпровідниками дало змогу підвищити чутливість, розширити функціональні можливості сенсорів, а також діапазони вимірювань фізичних величин.Item Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н.; Національний університет "Львівська політехніка"Вивченно електричні параметри НК Si-Ge в температурній області 4,2-300 К. Досліджено НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат.%, вирощених в легуючих системах з домішками B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt. Оцінено енергії активації 0,018 та 0,32 еВ у кристалах, легованих B і Zn, відповідно. У НК проявляються мікро- та макронеоднорідності. Встановлено, що НК, вирощені з домішками Hf та Au, є фоточутливі. The present paper deals with a study of Si-Ge whisker in the temperature range 4.2-300K. Si-Ge whiskers with compositions (up to 3at.% Ge) grown in doped system of B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt were under investigation. Activation energies 0,018 and 0.32eV of crystals doped with B, Zn impurities, respectively, were calculated. Micro- and macro-inhomogeneties are found in the whiskers. The whiskers doped with Hf and Au was shown to be photosensitive.Item Дослідження властивостей ниткоподібних кристалів (НК) Se і контактів на їх основі(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Варшава, С. С.; Крутяк, Н. Р.; Стасюк, Н. М.Досліджено електричні параметри НК Se: р, n, р (з величини магнітоопору), а також тензочутливість. Розглянуто вплив термовідпалу на їх зміну. На високоомних зразках (~106 Ом-см) досліджені електричні та фотоелектричні характеристики точкових контактів Ме-Se, де Ме - Ag, Au, Cu, Pt. The electrical parameters of Se whiskers: p, n, p, (from the magnetic resistance) and piezoresistance have been studied. An influence of temperature annealing on their change are considered. On the high resistance samples (~106 Ohm-cm) the electrical and photoelectrical characteristics of dot contacts Me-Se have been observed, where Me - Ag, Au, Cu, Pt.Item Дослідження росту ниткоподібних кристалів PbTe(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Островський, І. П.; Варшава, С. С.Досліджено особливості зростання ниткоподібних кристалів (НК) PbTe методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій йодидній системі. Вивчено вплив температури кристалізації на морфологію, кінетичні коефіцієнти кристалізації та електрофізичні властивості НК. Виявлені розмірні ефекти, зокрема залежність параметра ґратки та питомого опору від діаметра НК. Growth of PbTe whiskers by chemical transport reaction (CTR) method in closed jodide system was investigated. An influence of growth temperature on morphology, growth kinetics, and electrical properties of the whiskers was studied. Some size effects such as a dependence of lattice constant and specific resistance of the whiskers on their diameters were observed.Item Вирощування ниткоподібних кристалів 8і-Се<=п> В закритій бромідній системі(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Дружинін, А. О.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.У цій роботі досліджено умови вирощування ниткоподібних кристалів (НК) Si].xGex (х=0,01^0,15), легованих домішкою Zn, в закритій бромідній системі. Встановлено залежність питомого опору від концентрації легуючої домішки та від діаметру кристалів. Наведені залежності механічних параметрів кристалів від складу твердого розчину. Подаються рекомендації щодо застосування даних НК як чутливих елементів сенсорів механічних та теплових величин. Growth conditions of Sii_xGex (x=0,01^0,15) whiskers doped with Zn impurity in closed bromide system were studied. Dependencies of resistivity on impurity concentration and whisker diameter were obtained. Dependencies of whisker mechanical parameters on composition of solid solution were provided. Recommendations of whisker application in sensors of mechanical and thermal values have been proposed.Item Електричні властивості структур напівпровідників-ферит(Видавництво Львівської політехніки, 2003) Ющук, С. І.; Байцар, Г. С.; Байцар, Р. І.; Варшава, С. С.Досліджено структури напівпровідників-ферит, сформовані тісним контактом між напівпровідниковим монокристалом InSb (магніторезистор-МР) і феритовою підкладкою. Використовувалися орієнтовані монокристалічні підкладки MnxZn1-xFe2O4, YFeO3, Mn-Zn-полікристали і плівки ферогранітів, які були вирощені рідкофазною епітаксією (РФЕ) на підкладках з галій-гадолінієвого граніту (Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.). Досліджено вплив феритових підкладок на вольт-амперні характеристики і встановлено, що чутливість МР зростає залежно від магнітного поля для різних значень робочого струму І0.Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.Item Магнітні властивості ниткоподібних кристалів кремню(Львівська політехніка, 2003) Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Цмоць, В. М.; Павловський, Ю. В.; Паньків, Л. І.Досліджено магнітну сприятливість (МС; χ) ниткоподібних кристалів (НК) кремнію різного діаметра тп морфології. Для інтерпретації результатів, отриманих при вимірюванні залежності МС віл напруженості магнітного поля(0.3 - 4 кЕ), усі досліджені кристали розділені на чотири групи. До першої групи зараховані кристали діаметром 0,1-0,9 мкм, до другої - двійникові кристали діаметром 1-2 мкм, до третьої голкоподібні кристали діаметром від 5 до 1500 мкм, до четвертої - ізометричні кристали. У кристалів першої групи зі збільшенням діаметра НК їхній парамагнетизм переходить у діамагнетизм, а в кристалів третьої групи зі збільшенням діаметра - діамагнетизм переходить у парамагнетизм. На всіх цих кристалах виявлена нелінійність залежності МС від напруженості зовнішнього магнітного поля, що зростає зі збільшенням парамагнетизму зразків. Магнітна сприятливість двійникових кристалів діамагнітна, за своїм значенням близька до МС об'ємного кремнію і нелінійність залежності χ (Н) незначна. Виміряні значення МС ниткоподібних кристалів кременю пояснюються особливостями їхньої кристалічної структури і хімічним складом. In the present work magnetic susceptibili (MS, χ) of Si whiskers with various diameters and morphology are studied. For interpretation of the dependence of the whisker MS on magnetic-field intensity (0.3 - 4 kE) all the samples were divided on four groups. First group consists of submicron whiskers (d=0,1-0,9 µm), the second one contains twinned crystals with 1-2 µm in diameter, the third group consist of needle-like crystals with diameters 5-1500 µm, the forth one - isometric crystals. At increase of the whisker diameter paramagnetism of the whiskers of first group is shown to transit in diamagnetism, while in the whiskers of third group diamagnetism passes in paramagnetism again. In all these crystals the nonlinearity of dependence of a magnetic susceptibility on an external magnetic-field intensity is revealed. Magnetic susceptibility of twinned whiskers is close to MS of bulk silicon, nonlinearity of dependences χ (H) is small. The measured values of MS of Si whiskers are explained by peculiarities of their crystal structure as well as chemical composition.Item Розмірні ефекти в термоелектричних властивостях ниткоподібних кристалів(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Варшава, С. С.; Бортнік, Г. М.Досліджено геометричні розмірні ефекти в ниткоподібних кристалах (НК) Si p-типу. Виявлено вплив конусності на значення термо-ЕРС. Розраховано розподіл компонент теплового потоку при розташуванні НК на підкладці. Описано методики вимірювань. Dimensional effects in Si p-type whiskers have been investigated. An influence of conical shape on thermoelectric power value has been observed. A calculation of distribution of thermal flux components at attachment of the whisker on substrate has been carried out. Measurement techniques were described.Item Термо-ЕРС ниткоподібних кристалів Si-Ge(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Буджак, Я. С.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.Досліджено ефект Зеєбека в ниткоподібних кристалах твердих розчинів Si-Ge різного складу. Одержано задовільний збіг експериментальних та розрахункових значень коефіцієнта Зеєбека. An investigation of Seebek effect in whiskers of Si-Ge solid solution with various compositions have been carried out. Good coincidence of experimental and theoretical values of Seebek coefficient has been obtained.