Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Author: search.filters.author.Голяка, Р. Л.

Search Results

Now showing 1 - 10 of 29
  • Thumbnail Image
    Item
    Гальваномагнітні пристрої для реакторів термоядерного синтезу: основні підходи. Огляд
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Bolshakova, I. A.; Holyaka, R. L.; Yerashok, V. E.; Національний університет “Львівська політехніка”; Лабораторія магнітних сенсорів, Центр “Кристал”
    Аналізуються проблеми вимірювання магнітного поля в реакторах термоядерного синтезу з магнітним утриманням плазми (типу ТОКАМАК). Показано, що нове покоління ректорів термоядерного синтезу потребуватиме апаратури для діагностики магнітного поля, яка відповідає критеріям довготривалої експлуатації в екстремальних умовах експлуатації. Розглянуто принципи побудови такої апаратури, нові конструкції інтегрованих перетворювачів, елементну базу схем обробки сигналу тощо. Наведено результати виконаних в кінці 2004 року експериментів з вимірювання магнітного поля в реакторі TORE SUPRA (Кадараш, Франція).
  • Thumbnail Image
    Item
    Пристрій картографування магнітного поля циклотронних магнітів на основі матриць холлівських сенсорів
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Національний університет “Львівська політехніка”; Лабораторія Магнітних Сенсорів, Центр “Кристал”
    Проаналізовано задачу картографування магнітного поля в циклотронних магнітах. Особливістю цієї задачі є високопрецизійне вимірювання неоднорідного магнітного поля багатоканальними магнітометрами на основі матриць радіаційностійких холлівських сенсорів (похибка – не більше 0.01%). Розкриті нові рішення щодо побудови таких вимірювальних пристроїв, а також структура та результати апробації розробленого картографа Mapper-MSL.
  • Thumbnail Image
    Item
    Spice моделювання мікропотужних джерел напруги для пристроїв фотовольтаїки
    (Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-18) Барило, Г. І.; Вірт, В. В.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Іванюк, Х. Б.; Barylo, G.; Virt, V.; Holyaka, R.; Hotra, Z.; Ivaniuk, K.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    Розглянуто проблему SPICE модельних досліджень мікропотужних джерел опорної напруги для пристроїв фотовольтаїки, які використовують для побудови автономних сенсор- них пристроїв та систем автономного живлення. Встановлено необхідність дослідження мікропотужних режимів, які особливо актуальні для побудови мікроелектронних сенсорів з альтернативними джерелами живлення, зокрема сонячної енергії. Розроблено SPICE моделі мікропотужних джерел опорної напруги та запропоновано методику проведення структурно- параметричного аналізу. На відміну від наявних, розроблені моделі дають можливість прово- дити дослідження параметрів функції перетворення в мікропотужному режимі. Встановлено залежності вихідного сигналу стабілізатора від ширини смуги пропускання трансімпеданс- ного операційного підсилювача, досліджено вплив параметрів елементів у колах зворотного зв’язку та визначено допустимий діапазон для малих вхідних напруг, встановлено тривалість перехідних процесів елементів мікропотужного джерела опорної напруги. Результати моделювання використано для побудови мікроелектронного сигнального перетворювача на основі мікропотужних прецизійних операційних підсилювачів AD8504.
  • Thumbnail Image
    Item
    Сенсор різницевої температури на основі інтегруючого сигнального перетворювача
    (Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-26) Бойко, Оксана Василівна; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Boyko, O.; Holyaka, R.; Hotra, Z.; Львівський національний медичний університет ім. Д. Галицького; Національний університет “Львівська політехніка”; Danylo Halytsky Lviv National Medical University; Lviv Polytechnic National University
    Здійснено розроблення сигнальних перетворювачів високочутливих сенсорів різницевої температури. Первинними перетворювачами таких сенсорів є схемні каскади на біполярних транзисторах. З метою розширення функціональних можливостей та підвищення роздільної здатності вимірювання різниці температур у сигнальному перетворювачі використано схему інтегратора. Проведені експериментальні дослідження підтверджують високу ефективність використання аналогового інтегратора в сенсорах різницевої температури, сигнальні перетворювачі яких поєднують високу точність та часову роздільну здатність вимірювання.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гладун, М. Р.; Гуменюк, І. А.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів, Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів. Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистора
  • Thumbnail Image
    Item
    Принципи термокомпенсації низьковольтних опорних напруг
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Голяка, Р. Л.; Готра, О. З.; Єрашок, В. Е.; Шевчук, 0. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Запропоновані нові схемні рішення термокомпенсованих низьковольтних джерел опорної напруги, зокрема для інтегральних стабілізаторів напруги та струму, сенсорних пристроїв, аналогово-цифрових перетворювачів тощо. На від¬міну від аналогів, запропоновані схеми термокомпенсації інтегральних стабіліза¬торів забезпечують нормальне функціонування при напругах живлення від 1 В. Досліджено характеристики таких стабілізаторів. Novel circuitry is proposed for thermocompensated low-voltage sources of reference voltage, in particular for integrated stabilizers of voltage and current, sensor devices, analog-digital converters etc. Despite the known analogs, the proposed thermo¬compensation algorithms for the integrated stabilizers provide normal operation at the supply voltages from 1 V. Parameters of such stabilizers are studied.
  • Thumbnail Image
    Item
    Двопорогові компаратори - нова елементна база інтелектуальних сенсорів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Голяка, Р. Л.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Запропоновано принципи побудови та схемотехнічні розв’язки двопорогових компараторів, які як елементна база інтелектуальних сенсорних пристроїв, забезпечують їх автоматичне перемикання між робочим та очікувальним режимами роботи. Development principles and circuit solutions are proposed for the douhreshold comparators. Such comparators provide the automatic switching between the operating and standby mode and they serve as the elements for intelligent sensor devices.
  • Thumbnail Image
    Item
    Схеми заміщення магнітодіода для “SPICE”
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гладун, М. Р.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Вивчається проблема створення моделей сенсорів магнітного поля в середовищі схемотехнічного моделювання “Spice”. Розглянуті підходи до синтезу схем заміщення магнітодіода. Показано, що, використовуючи комбінацію фізичних та емпіричних моделей, можна забезпечити ефективний аналіз сенсорних пристроїв в спеціалізованих програмах схемотехнічного моделювання. Presents design of models for magnetic-field sensors which can be used in SPICE software. The synthesis of magnetodiode equivalent circuits is considered. It is shown that effective analysis of sensor devices in specialized circuitrical software can be maintained by using combination of physical and empirical models.
  • Thumbnail Image
    Item
    Широкосмугові функціонально-синтезуючі перетворювачі твердотільних сенсорних інтегральних схем
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Голяка, Р. Л.
    Розглядаються причини обмеження ширини смуги робочих частот твердотільних біполярних сенсорних інтегральних схем (ІС). Запропоновані схемно-структурні рішення широкосмугових нелінійних функціонально-синтезуючих перетворювачів. Розроблені перетворювачі дозволяють створювати сенсорні ІС, зокрема фото- чи магнітосенсорні твердотільні ІС, з полосою робочих частот до 1 ГГц. Causes of frequency band limitation in solid-state bipolar sensor integrated circuits (IC) are considered. New circuit solutions of wide-band nonlinear secondary transducers for functional synthesis are proposed. Designed transducers allow to develop sensor integrated circuits with frequency band up to 1 GHz and can be used in photo- and magneto-sensor single-chip devices.
  • Thumbnail Image
    Item
    Алгоритм функціонування та структура програмованого коректора характеристик однокристальних сенсорних пристроів
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Лопатинський, І. Є.; Потенцкі, Є.
    Подано результати розробки програмованого коректора характеристик для однокристальних сенсорних пристроїв. Розроблено новий алгоритм функціонування коректора, що базується на синтезі коректуючих струмів програмованою матрицею джерел струму. Принциповими рішеннями розробленої матриці є двійково-зважене масштабування струмів на латеральних p-n-p транзисторах та спеціальний алгоритм декодування комірок матриці. The results of elaboration of programmable characteristics corrector for on-chip sensor devices are presented in this paper. New algorithm of corrector functioning is elaborated. This algorithm is based on synthesis of correcting current by programmable array of current sources. The principal solutions of elaborated array are bit-power scaling of current on lateral p-n-p transistors and special algorithm for array cells decoding.