Вісники та науково-технічні збірники, журнали

Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12

Browse

Search Results

Now showing 1 - 6 of 6
  • Thumbnail Image
    Item
    Побудова програмного комплексу управління інформаційною діяльністю ВНЗ у соціальних середовищах Інтернету
    (Видавництво Львівської політехніки, 2017-03-28) Корж, Роман; Пелещишин, Андрій; Мастикаш, Олег; Korzh, Roman; Peleshchyshyn, Andriy; Mastykash, Oleg; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National University
    У цій статті розроблено архітектуру програмно-алгоритмічного комплексу для забезпечення управлінської діяльності адміністративних та інформаційних підрозділів ВНЗ та інформаційної діяльності базових підрозділів, досліджено основні складові інформаційної системи, функції та технічні аспекти реалізації окремих компонент. Зокрема розроблені функціональності окремих робочих місць системи, наведені основні можливості робочих місць, їхні завдання та призначення. Представлено реалізацію програмно-алгоритмічного комплексу для забезпечення управлінської діяльності адміністративних та інформаційних підрозділів ВНЗ як багаторівневої структури.
  • Thumbnail Image
    Item
    Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2003) Павлиш, Володимир; Даичишии, Ігор; Закалик, Любов; Іваник, Ростислав; Корж, Роман
    Наведено результати термодинамічного стану на границі розділу гетеро- структури InxGa1-xAs-GaAs при товщині перехідного шару не більше 4 нм. In this paper the results of thermodynamic analysis of a tight - strained state on boundary of separation of heterostructure InxGa1-xAs-GaAs are reduced at thickness of a transitional layer no more 4 nm.
  • Thumbnail Image
    Item
    Діагностика поверхневої дефектності напівпровідникових пластин
    (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001) Павлиш, Володимир; Данчишин, Ігор; Корж, Роман; Вишняков, Дмитро
    Запропоновано автоматизований метод та конструкцію пристрою для оптичного контролю поверхневої дефектності базових шарів ІС. The automation technique and construction of the device for IC’s basic layer surface defectivity optical control are proposed at present paper.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження системи організаційних заходів з формування інформаційного образу ВНЗ
    (Видавництво Львівської політехніки, 2015) Пелещишин, Андрій; Корж, Роман; Трач, Ольга
    Розглянуто методи та засоби реалізації заходів та етапів формування цілісного інформаційного образу вищого навчального закладу, а саме таких етапів: планування входження в генератори, підготовка інформаційного ресурсу, входження в генератори, стаціонарна інформаційна діяльність, комплексна верифікація результатів. Описано цикли та алгоритм, що є ключовими для якісного та ефективного виконання робіт підрозділами для формування інформаційного образу ВНЗ. In the article the methods and means of implementing measures and stages of building a single information image of the university, namely the following steps: planning entry into the generators, training information resource, entering the generators, stationary information activities, comprehensive verification of the results. Describes the cycles and the algorithm that are key to qualitative and effective execution of work units for forming the information image of the university.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження термометричного матеріалу Ті1-xYxNiSn
    (Видавництво Львівської політехніки, 2014) Ромака, Володимир; Стадник, Юрій; Корж, Роман; Ромака, Любов; Крайовський, Володимир
    Досліджено енергетичні, електрокінетичні та магнітні характеристики термометричного матеріалу Ti1-xYxNiSn у діапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Y 9,5 1019 NA » × см-3 ( x = 0,005 )÷1,9×1021 см-3 ( x = 0,10 ) і напруженості магнітного поля H £ 10 кГс. Показано, що характеристики матеріалу Ti1-xYxNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів. Исследованы энергетические, электрокинетические и магнитные характеристики термометрического материала Ti1-xYxNiSn в диапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Y 9,5 1019 NA » × см-3 ( x = 0,005 ) ÷ 1,9×1021 см3 ( x = 0,10 ) и напряженности магнитного поля H £ 10 кГс. Показано, что характеристики материала Ti1-xYxNiSn чувствительны к изменению температуры и он может быть основой для изготовления чувствительных элементов термопреобразователей. The electron energy state, magnetic and transport characteristics of of thermometric materials Ti1-xYxNiSn were investigated in the T = 80 ¸ 400 K temperature range and at charge carriers concentration from Y 9,5 1019 NA » × сm-3 ( x = 0,005 )÷1,9×1021 сm-3 ( x = 0,10 ) and H £ 10 kGs. The material Ti1-xYxNiSn is sensitive to the temperature change and could be used as the basis for the sensitive thermoelectric devices.
  • Thumbnail Image
    Item
    Прогнозування характеристик термометричного матеріалу Hf1-x Lux NiSn
    (Видавництво Львівської політехніки, 2014) Ромака, Володимир; Стадник, Юрій; Ромака, Віталій; Корж, Роман; Крайовський, Володимир
    Проведено розрахунок електронної структури та кінетичних характеристик термометричного матеріалу Hf1-xLuxNiSn у діапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Lu 1.9 1020 NA » × см-3 ( x = 0,01)÷1.9×1021 см-3 ( x = 0.10 ). Показано, що характеристики матеріалу Hf1-xLuxNiSn чутливі до зміни температури і він може бути основою для виготовлення чутливих елементів термоперетворювачів. Проведен расчет электронной структуры и кинетических характеристик термометрического материала Hf1-xLuxNiSn в диапазонах: T = 80 ¸ 400 K, Lu 1.9 1020 NA » × см-3 ( x = 0,01) ÷ 1.9×1021 см3 ( x = 0.10 ). Показано, что характеристики материала Hf1-xLuxNiSn чувствительны к изменению температуры и он может быть основой для изготовления чувствительных элементов термопреобразователей. The Hf1-xLuxNiSn thermometric material was characterized by the electronic structure calculations and electron transport characteristics in the range: T = 80 ¸ 400 K, Lu 1.9 1020 NA » × cm-3 ( x = 0.01)÷1.9×1021 cm-3 ( x = 0.10 ). The material is sensitive to the temperature change and could be used as the basis for the sensitive thermoelectric devices.