Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
6 results
Search Results
Item Критерій вибору глибини кулонової потенціальної ями в кремнії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.; Syrotyuk, S. V.; Kraevsky, S. N.; Kynash, Yu. E.; Національний університет “Львівська політехніка”; Український державний лісотехнічний університетРозраховані електронні енергетичні спектри кремнію за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціала атома у прямому просторі , яка враховує скінченність кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра β, який визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору значення β для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обґрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини.Item Розрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функцій(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Собчук, І. С.; Сиротюк, С. В.; Sobchuk, I. S.; Syrotyuk, S. V.; Національний університет “Львівська політехніка”Запропоновано новий ефективний підхід до інтегрування електронного енергетичного спектра за зоною Бріллюена за допомогою наближення поліномами Чебишова. Метод використовується для розрахунку електронної густини в кремнії. Порівняння отриманих результатів з виявленими експериментально показує ефективність вибраного підходу.Item Електронні і магнітні властивості алмазу з домішками перехідних металів(Видавництво Львівської політехніки) Сиротюк, С. В.; Швед, В. М.; Syrotyuk, C. Y.; Shved, V. M.; Сиротюк, С. В.; Швед, В. М.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”Розраховано повні й парціальні щільності електронних станів алмазу, легованого перехідними 3 d елементами, з градієнтними поправками в функціоналі обмінно-кореляційної енергії, з урахуванням сильних локальних кореляцій Зй-електронів. Розрахунки виконані методом проекційних приєднаних хвиль. Виявлено, що алмаз з домішками заміщення Сг, Мп та Ni є магнітним напівпровідником.Item Моделювання числовими методами ефективної маси носіїв заряду кремнію(Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-18) Кинаш, Ю. Є.; Сиротюк, С. В.; Мищишин, В. М.; Національний університет “Львівська політехніка”Енергетичний спектр кремнію розраховано методом змішаного базису. Значення ефективної маси в кремнії отримано з використанням поліномів Лагранжа та сплайнфункцій і одержані результати добре узгоджуються з експериментальними даними.Item Апріорні методи розрахунку електронної енергетичної структури напівпровідників і діелектриків(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Собчук, І. С.; Кинаш, Ю. Є.; Національний університет “Львівська політехніка”Аналізуються сучасні апріорні методи розрахунку електронного енергетичного спектра напівпровідників і діелектриків. Порівняні можливості різних підходів щодо точності отримання зонних енергій, можливостей застосування їх до складних кристалів. Зроблений висновок про перспективність змішаного базису для застосування в розрахунках енергетичних зон напівпровідників і діелектриків на основі порівняння результатів розрахунку з отриманими за іншими методиками та експериментом. The contemporary ab initio approaches for energy band structure evaluation in semiconductors and dielectrics have been analyzed. The comparison of possibilities of different methods from point of view of calculating the reliable band energies and of application them to complex crystals is made. The conclusion about prospective of the mixed basis approach for energy band evaluation in semiconductors and dielectrics has been made on base of comparison of obtained results with those evaluated by another approaches and experiment.Item Прискорені алгоритми розрахунку законів дисперсії на змішаному базисі в GaAs(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Різак, В. Л.; Національний університет "Львівська політехніка"Виведені і реалізовані прискорені алгоритми розрахунку матриці гаміль-тоніана кристала на змішаному базисі одноелектронних станів. Доведена їхня перевага над традиційним підходом, що ґрунтується на розкладі кристалічного потенціалу в ряд Фур’є. The accelerated algorithms for crystal Hamiltonian matrix calculation within the mixed basis of single-particle states have been derived and implemented. Their advantage over traditional approach grounded on the Fourier series development of crystal potential has been proved.