Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
5 results
Search Results
Item Способи отримання плівок СdS і CdSe та гетероструктур на їх основі. Огляд(Lviv Politechnic Publishing House, 2019-02-28) Гумінілович, Р. Р.; Шаповал, П. Й.; Ятчишин, Й. Й.; Стаднік, В. Є.; Созанський, М. А.; Guminilovych, R. R.; Shapoval, P. Y.; Yatchyshyn, Y. Y.; Stadnik, V. E.; Sozanskyi, M. A.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityРозглянуто основні методи синтезу тонких плівок кадмій сульфіду (CdS) та кадмій селеніду (CdSe). Проаналізовано умови синтезу та властивості тонких плівок CdS та CdSe і фоточутливих гетероструктур на їх основі. Вивчено перспективи практичного використання хімічних методів. Основну увагу приділено аналізу і порівнянню морфологічних та оптичних властивостей плівок кадмій сульфіду та кадмій селеніду, отриманих фізичними, хімічними та комбінованими методами. Здійснено аргументований вибір оптимального методу хімічного поверхневого осадження для одержання тонких плівок CdS та CdSe, які можна використати як буферні шари у сонячних елементах.Item Modeling of chemical surface deposition (CSD) of CdS and CdSe semiconductor thin films(Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2015) Guminilovych, Ruslana; Shapoval, Pavlo; Yatchyshyn, Iosyp; Shapoval, StepanA mathematical model of the chemical surface deposition process of CdS and CdSe thin films, which allows determining the concentration of reagents, as well as duration and temperature for CSD needed to obtain films of the set thickness was designed. The adequacy of model was tested by Fisher's criterion. The nomogram of dependence of cadmium ions content on the initial deposition parameters was built according to the results of experimental studies and approximated by mathematical dependence. Розроблена математична модель процесу хімічного поверхневого осадження тонких плівок CdS та CdSe, яка дає можливість визначити концентрації реагентів, тривалість та температуру ХПО, необхідні для одержання плівок заданої товщини. Адекватність моделі перевірено за критерієм Фішера. За результатами експериментальних досліджень побудована номограма залежності вмісту йонів кадмію від вихідних параметрів осадження, яка апроксимована математичною залежністю.Item Синтез плівок цинк сульфіду (ZnS) методом хімічного поверхневого осадження(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Шаповал, П. Й.; Созанський, М. А.; Ятчишин, Й. Й.; Гумінілович, Р. Р.Синтезовано плівки ZnS методом хімічного поверхневого осадження (ХПО) з водного розчину солі цинк сульфату на скляні підкладки. Досліджено оптичні властивості, морфологію поверхні, ступінь кристалічності плівок ZnS залежно від умов осадження. CdS thin films were obtained from aqueous solution of zinc sulphate salt on the glass substrates by chemical surface deposition (CSD) method. The optical absorption spectra, surface morphology and the degree of obtained ZnS films crystallinity depending on the deposition conditions were studied.Item The conditions effect of obtaining CdS and CdSe films on their structural and optical properties(Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2013) Shapoval, Pavlo; Guminilovych, Ruslana; Yatchyshyn, IosypThe conditions effect of obtaining CdS and CdSe thin films by a chemical surface deposition method (CSD)on their structural and optical properties has been studied. The optical transmission, absorption spectra and surface morphology of films and degree of phase uniformity were investigated. The content of cadmium ions in the obtained coatings by the method of voltammetry inversion was defined. The thickness of the obtained semiconductor films was calculated according to the mass of cadmium. The optimum conditions for obtaining CSD films of the given thickness with a minimum number of defects on the surface were established. Досліджено вплив умов одержання тонких плівок CdS і CdSe методом хімічного поверхневого осадження (ХПО) на їх структурні та оптичні властивості. Досліджено оптичні спектри пропускання та поглинання, морфологію поверхні плівок та ступінь їх фазової однорідності. Методом інверсійної вольтамперометрії визначено вміст йонів кадмію в одержаних покриттях. За отриманими даними маси кадмію розраховано товщини отриманих напівпровідникових плівок. Встановлено оптимальні умови ХПО для одержання плівок заданої товщини з мінімальною кількістю дефектів на поверхні.Item Створення і властивості фоточутливих гетероструктур N-CDS/P-CDTE(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Шаповал, П. Й.; Гумінілович, Р. Р.; Ятчишин, Й. Й.; Кусьнеж, В. В.; Ільчук, Г. А.Розроблена технологія хімічного поверхневого осадження і отримано тонкі плівки CdS на підкладках p-CdTe. Вивчено склад та структуру отриманих покрить. Досліджено електричні та+ фотоелектричні властивості гетеропереходів n-СdS/p-CdTe. Показана можливість застосування методу хімічного поверхневого осадження для створення тонкоплівкових сонячних елементів на основі n-СdS/p-CdTe. This article shows how thin films n-CdS were deposited on p-CdTe substrates by the new chemical surface deposition method. The composition and crystallinity degree of obtained coatings were studied. The high value of n-CdS/p-CdTe heterojunction photoconversion was provided by using the new CdS deposition method. The possibility of n-CdS/p-CdTe thin film solar cell fabrication by chemical surface deposition method was demonstrated.