Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
6 results
Search Results
Item Вплив опромінення високоенергетичними нейтронами та електронами на плівкові сенсори магнітного поля(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Большакова, І. А.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Марусенков, А. В.; Шуригін, Ф. М.Досліджено залежність стабільності параметрів плівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb від температури опромінення. Наведені результати досліджень впливу спектра нейтронів на величину зміни чутливості сенсорів. Показані особливості поведінки параметрів сенсорів на основі багатошарових гетероструктур, опромінених електронами та реакторними нейтронами. The dependence of parameter stability for InAs- and InSb-based film sensors of magnetic field from irradiation temperature has been investigated. Results of the research into the effect of neutron spectrum on the value of sensitivity change for sensors are presented. Features of parameter behaviour for sensors on the basis of multilayer heterostructures irradiated with electrons and reactor neutrons are shown.Item Oсобливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Ваків, М. М.; Круковський, Р. С.Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих та вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур 670–550 °С. Встановлено, що при концентраціяхMg 0,07–0,12 ат% в розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70000 до 92000 см2/В·с. При концентраціях Mg ≈ 1,1 ат % в індієвих та при 0,56 ат % у вісмутових розплавах кристалізуються шари р-InAs. Concentration and mobility dependence of charge carriers in InAs epitaxial layers obtained from indium and bismuth melts doped by magnesium at 670-550 ° C temperature range has been studied. It was found that in bismuth melts at Mg concentrations 0,07-0,12 at% InAs layers with n-type conductivity are crystallized and their mobility increases from 70000 to 92000 cm2/V·s. Layers p -InAs are crystallized at Mg concentrations ≈ 1,1 at% in indium melts and at 0.56 at% in bismuth melts.Item Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.Наведені результати вирощування методом хімічних транспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs з використанням в якості транспортера хлористого водню в закритому ампульному реакторі. Розроблені технологічні режими дали змогу отримати мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs в широкому діапазоні складів: 0,3≤x≤0,8. Подано результати дослідження електрофізичних параметрів вирощених кристалів GaxIn1-xAs. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in hydrogen chloride environment by chemical transport reactions method in closed ampoule reactor are presented. The developed technological modes made it possible to obtain GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in a wide range of compositions 0.3≤x≤0.8. Results of investigation into electrophysical parameters of obtained GaxIn1-xAs crystals are presented.Item Технологія отримання мікрокристалів твердого розчину GaAs-InAs з парової фази(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Стецко, Р. М.Наведено результати вирощування мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs за механізмом пара-рідина-кристал (ПРК-механізмом) методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. Отримано мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs зі складом 0,30≤x≤0,41, який був визначений за допомогою рентгенівського мікроаналізу. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system are represented. GaxIn1-xAs solid solution microcrystals with 0.30≤x≤0.41 composition, which was determined by X-ray microanalysis, were obtained.Item Дослідження впливу нейтронного опромінення на тонкоплівкові сенсори магнітного поля(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Віерербл, Л.; Дюран, І.; Єрашок, В. Е.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.; Мороз, А. П.; Ковальова, Н. В.Досліджено вплив нейтронного опромінення на параметри тонкоплівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb. Визначено вплив нейтронів на величину зміни параметрів сенсорів. Показано, що зміна параметрів сенсорів на основі багатошарових структур визначається не тільки поведінкою матеріалу робочого шару, а також впливом нейтронного опромінення на властивості буферних шарів цієї структури. Проведены исследования влияия нейтронного облучения на параметры тонкопленочных сенсоров магнитного поля на основе InAs и InSb. Определено влияние спектра нейтронов на величину изменения параметров сенсоров. Представлены результаты отжига радиационных дефектов облученных образцов. Показано, что изменения параметра сенсоров на основе многослойных структур определяется не только проведением,материала рабочего слоя, но и влиянием нейтронного облучения на свойства буферных слоев данной структури.The investigation of neutron irradiation e ect on the parameters of thin-film magnetic field sensors based on InAs and InSb was conducted. The e ffect of neutron spectrum on sensor parameters' change value was determined. The results of radiation defects' annealing of the irradiated samples are presented. It is shown that parameter change of the sensors based on multilayer structures are defined by not only the working layer behavior, but also by the impact of neutron irradiation on the buffer layer properties of this structure.Item Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Стецко, Р. М.; Швець, О. В.; Шуригін, Ф. М.Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікро-кристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.галію. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined.