Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
7 results
Search Results
Item Рухливість електронів у CdSe0.35Te0.65: поєднання Ab Initio підходу з принципом близькодії(Видавництво Львівської політехніки, 2023-02-28) Малик, Орест; Петрович, Ігор; Кеньо, Галина; Юркевич, Юрій; Вашкурак, Юрій; Malyk, Orest; Petrovych, Ihor; Kenyo, Halyna; Yurkevych, Yurii; Vashkurak, Yurii; Lviv Polytechnic National UniversityУ роботі розглянуто проблему впливу точкових дефектів на явища перенесення у кристалах CdSexTe1-x (x=0,35). Вперше виконано розрахунок електронного спектра, хвильової функції та потенціальної енергії електрона в зразках CdSe0.35Te0.65 за заданої температури. За допомогою методу суперкомірки встановлено типи точкових дефектів, а також температурну залежність їх енергій іонізації в досліджуваному інтервалі температур. Виявлено температурні залежності констант деформації оптичного та акустичного потенціалів розсіяння, а також розраховано температурні залежності констант розсіяння електронів на різних кристалічних точкових дефектах. На основі моделей розсіювання із короткодіючим потенціалом встановлено температурні залежності рухливості та холлівського фактора електронів.Item Transport Phenomena in Copper Doped Cadmium Telluride: Calculation from the First Principles(Видавництво Львівської політехніки, 2022-04-04) Малик, Орест; Петрович, Ігор; Кеньо, Галина; Malyk, Orest; Petrovych, Ihor; Kenyo, Halyna; Lviv Polytechnic National UniversityУ роботі розглянуто метод визначення енергетичного спектра, хвильової функції важкої дірки та кристалічного потенціалу в CdTe за довільно заданої температури. За допомогою цього підходу в межах методу суперкомірки розраховано температурні залежності енергій іонізації різних типів дефектів, спричинених впровадженням домішки міді в телурид кадмію. Також запропонований метод дає змогу визначити температурну залежність оптичного та акустичного потенціалів деформації, а також залежність від температури параметрів розсіювання важких дірок на іонізованих домішках, полярних оптичних, п’єзооптичних та п’єзоакустичних фононах. У межах близькодіючих моделей розсіяння розглянуто температурні залежності рухливості важких дірок і коефіцієнта Холла.Item Локальна взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом дефектів в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О.; Malyk, O.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityРозглянуті моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими та нейтральними домішками в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26) . Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300 К .Item The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride(Видавництво Львівської політехніки) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в зразку ІпМ зі структурою вюртциту та з концентрацією електронів ~ 6 х 1017см_3. Розраховано температурну залежність рухливості електронів в інтервалі 4.2 — 560 К.Item The local heavy-hole interaction with crystal lattice defects in indium antimonide(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.The processes of heavy-hole scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain and ionized impurities in zinc blende p-InSb samples with carrier concentration ~ 5 x 1013 + 2 x 1019 cm~3 are considered. The temperature dependences of heavy-hole mobility and Hall factor in the range 11 — 520 K are calculated. Рассмотрены процессы рассеяния тяжелых дырок на близкодействующем потенциале, обусловленном взаимодействием с полярными и неполярными оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами. полем статической деформации, заряженной примеси в образцах р-1пЗЬ с концентрацией носителей ~ 5 х 1013 ^ 2 х 1019 см-3. Рассчитаны температурные зависимости подвижности и Холл-фактора тяжелых дырок в интервале 11—520 К. Розглянуто процеси розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими домішками в зразках р-ІпЗЬ з концентрацією носіїв ~ 5 х 1013 ^ 2 х 1019см_3. Розраховано температурні залежності рухливості та Холл-фактора важких дірок в інтервалі 11—520 К.Item Застосування принципу близькодії в теорії розсіяння електронів в GaN(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, ізольованими та нейтральними домішками в зразках GaN зі структурою вюртциту та з концентрацією домішок 4*10(6)см(-3) та 2*10(19)см(-3). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 40 - 500K. The processes of the electron scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in wurtzite GaN samples with impurity concentration 4*10(6)см(-3) and 2*10(19)см(-3) are considered. The temperature dependences of the electron mobility in temperature range 40 - 500K are calculated.Item Локальна взаємодія електронів з потенціалом кристалічних дефектів у твердому розчині CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) за низької температури(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Малик, О. П.Запропоновано близькодіючу модель розсіяння електронів на потенціалі статичної деформації в твердому розчинні CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1). Розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300K. Model of electron scattering on the short-range potential caused by the static strain eld in the solid solution CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) is proposed. The temperature dependences of electron mobility in the range 4:2 ¡ 300K are calculated.