Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ

Loading...
Thumbnail Image

Date

2000

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Державного університету "Львівська політехніка"

Abstract

Досліджено електрофізичні властивості шарів GaAs та твердих розчинів AlxGa1-xAs, отриманих із галієвих розплавів методом низькотемпературної рідиннофазної епітаксії при температурах 630…580 °С. Показано, що подвійне легування галієвих розплавів ітербієм від 2⋅10-3 до 1,2⋅10-2 ат.% та алюмінієм більше 6,5⋅10-3 ат.% дозволяє отримати епітаксійні шари GaAs з питомим опором до 105 Ом⋅см. Тверді розчини Al0,05Ga0,95As кристалізовані із розплавів галію з концентрацією Yb 1,4⋅10-2 ат%, характеризуються найвищою рухливістю ≈3⋅104 см2/(В⋅с) (300 К).OBTAINING HIGH-RESISTANCE GaAs, AlGaAs LAYERS BY MEANS OF LAW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE EPITAXY, by Krukovsky S.I., Zaverbny I.R., Е-mail: granat@carat.lviv.ua. Electrophysical properties are investigated of GaAs layers and AlxGa1-xAs solid solutions obtained from gallium melts by means of lawtemperature liquid-phase epitaxy at the temperatures of 630…580 °С. It was shown that double doping of the gallium melts by (2⋅10-3-1.2⋅10-2) at.% ytterbium and by 6.5⋅10-3 at.% aluminum allows obtaining GaAs epitaxial layers with resistivity up to 105 Ohm⋅cm. The highest mobility of ≈3⋅104 cm 2 /V⋅s (300 К) was observed in Al0,05Ga0,95As solid solutions crystallized from gallium melts with Yb concentration of 1,4⋅10-2 at.%.

Description

Keywords

Citation

Круковський С. І. Отримання високоомних шарів GaAs, AlGaAs методом НТРФЕ / С. І. Круковський, І. Р. Завербний // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 17–21. – Бібліографія: 8 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By