Si wires for strain sensor application
Loading...
Files
Date
2012
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
Resistance and magnetoresistance of Si microwires were studied in temperature range 4,2-300 K at magnetic fields up to 14 T. Ga-In gates were created to wires and ohmic I-U characteristics were observed in all temperature range. It was found high elastic strain for Si wires, linear thermoresistive characteristics as well as small magnitude of magnetoresistance (of about 5% at 14 T), which was used to design multifunctional
sensor of simultaneous measurements of strain and temperature with minimal sensitivity to magnetic field intensity.
Description
Keywords
InGa contacts, magnetoresistance, wires, strain sensors
Citation
Si wires for strain sensor application / Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Tomasz Palewski, Stepan Nichkalo, Roman Koretskyy, Yevgen Berezhanskii // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 478–479. – Bibliography: 4 titles.