Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation
Loading...
Files
Date
2012
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Львівської політехніки
Abstract
The process of generation and reproduction of
dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered.
Description
Keywords
p-n-junction, impurity centre, dark-patch defects, X-ray irradiation
Citation
IIrkha V. Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation / Vasily Irkha, Victor Gorbachev, Valeriy Mikhalaki // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 499–500. – Bibliography: 3 titles.