Особливості магнітоопору мікрокристалів InSb за кріогенних температур

Abstract

Проведено дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі низьких температур 4,2 – 77 К в полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено наявність осциляцій Шубнікова-де-Гааза як в поперечному, так і в поздовжньому магнітоопорі, визначено період осциляцій 0,1 Тл-1, ефективну циклотронну масу електронів mс » 0,14mо, концентрацію носіїв заряду 2,3´1017 см-3, фактор g* » 30 та температуру Дінгла ТD= 14,5 К. The study of the magnetoresistance in InSb whiskers with impurity concentration in the vicinity to the metal-insulator transition at low temperature range 4.2 – 77 K in fields with induction up to 14 T was conducted. The presence of Shubnikov-de Haas oscillations in both transverse and longitudinal magnetoresistance was observed. The following parameters of InSb whiskers were defined: period of oscillations 0,1 Т-1, cyclotron effective mass of electrons mс » 0,14mо, concentration of charge carriers 2,3´1017 сm-3, g-factor g* » 30 and Dingle temperature ТD = 14.5K.