Корекція енергетичної характеристики напівпровідникових детекторів у дозиметричних пристроях

Abstract

Розглянуто принцип роботи пристрою для вимірювання потужності і експозиційної дози радіаційного випромінювання, що забезпечує можливість апаратурної корекції енергетичних характеристик широкого класу напівпровідникових детекторів. Наведено структурну схему і приклад підбору коректуючих кодів. The work principle of device for measuring the radiation exposure dose rate, that make possible instrument correction of different semiconductor sensor characteristics, is considered. The structure scheme and the example of corrected code choose are presented.