Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку

Loading...
Thumbnail Image

Date

2006

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"

Abstract

Електронний енергетичний спектр простого кубічного кристала у наближенні сильного зв’язку апроксимований за допомогою поліномів Чебишева у першій зоні Брилюена. Точність апроксимації визначається для різних порядків поліномів. Отримані апроксиманти використані для розрахунку густини електронних станів. Проаналізована придатність отриманих апроксимацій для виявлення особливостей Ван Хова густини електронних станів. The energy band spectrum of simple cubic crystal within a tight binding model has been approximated by a Chebyshev polynomials over first Brillouin zone. The precision of approximation is evaluated for different degrees of polynomials. The obtained approximations have been applied in evaluation of electronic density of states. The validity of obtained approximations to show Van Hove singularities of electronic density of states has been analyzed.

Description

Keywords

Citation

Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку / С. В. Cиротюк, І. С. Собчук, С. Н. Краєвський, Ю. Є. Кинаш // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2006. – № 558 : Електроніка. – С. 118–122. – Бібліографія: 16 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By