Числове моделювання росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі

Abstract

Описуються математичні моделі росту шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, при яких швидкість росту визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці, дослід¬жуються газодинамічні процеси в реакторах і ріст шарів. Mathematical models of gallium arsenide crystal growth in VPE reactors are considered when the crystal growth rate is controlled by the mass-transfer of the reagents to the substrate. Gas flows is reactors and thin films growth are investigated.