Дослідження властивостей плівок індію (ІІІ) сульфіду, одержаних методом хімічного осадження

Abstract

Синтезовано тонкі плівки сульфіду індію (ІІІ) методом хімічного осадження у присутності ацетатної кислоти як регулятора рН і комплексоутворюючого реагента одночасно та тіоацетаміду (CH3CSNH2) як сульфідизатора. Встановлено оптимальні концентраційні співвідношення робочого розчину речовин, які реагують, значення тем- ператури та часу осадження для синтезу плівок індію (ІІІ) сульфіду з відтворюваними властивостями. Досліджено фазовий склад, оптичні властивості та морфологію поверхні плівок. Проаналізовано вплив часу осадження на можливість утворення плівок сполуки In2S3 стехіометричного складу із задовільними оптичними параметрами, морфологією поверхні та товщиною.Indium (III) sulfide thin films were synthesized by chemical deposition in the presence of acetate acid, as a pH regulator and complexing agent simultaneously and thioacetamide (CH3 CSNH2) as a sulfating agent. The optimal concentration ratios of the reagents in the working solution, the value of temperature and the deposition time for the indium (III) sulfide thin films synthesis with reproducible properties were established. The phase composition, optical properties and surface morphology of obtained films were studied. The influence of the deposition time on the formation of In2S3 thin films with stoichiometric composition with satisfactory optical parameters, surface morphology and thickness was analyzed.