Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe

Abstract

Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2 - 300 К the main electron scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic electron interaction with optical vibrations of the crystal! lattice.