Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe

No Thumbnail Available

Date

2002-03-26

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”

Abstract

Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.
By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2 - 300 К the main electron scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic electron interaction with optical vibrations of the crystal! lattice.

Description

Keywords

Citation

Малик О. Л. Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe / О. Л. Малик, Г. В. Кеньо // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 28–37.