Ефекти поляризації у високотемпературних надпровідниках
Date
2002-03-26
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Показано, що для високотемпературних надпровідників характерний свій
тип ізоепінової (зарядової) симетрії для іонів кисню з різною валентністю,
аналогічною до ізоепінової симетрії для нейтрона і протона в ядерній фізиці.
Існування такої симетрії приводить до виникнення поляризації поблизу переходу
високотемпературного надпровідника в надпровідний стан. Поява поляризації в
купратах призводить до зміни характеру коливань атомів ґратки і виникнення
надпровідності.
In this article we shall demonstrate, that for high- Tc superconductors is characteristic its type of isospin (charge) symmetry for oxygen ions with various valency, analogous to isospin symmetry for neutron and proton in nuclear physics. The existence of such symmetry results in the appearance of polarization nearby the transition of superconducting copper oxide into the superconducting state. The appearance of polarization in cuprates leads to the alteration in the character of grading atoms vibration and appearance of superconductivity.
In this article we shall demonstrate, that for high- Tc superconductors is characteristic its type of isospin (charge) symmetry for oxygen ions with various valency, analogous to isospin symmetry for neutron and proton in nuclear physics. The existence of such symmetry results in the appearance of polarization nearby the transition of superconducting copper oxide into the superconducting state. The appearance of polarization in cuprates leads to the alteration in the character of grading atoms vibration and appearance of superconductivity.
Description
Keywords
Citation
Добринецький С. С. Ефекти поляризації у високотемпературних надпровідниках / С. С. Добринецький // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 37–42.